1月17日消息,蘋果的升級(jí)越來越看不懂了,iPhone 16系列要用速度更慢的QLC閃存。
據(jù)供應(yīng)鏈最新消息,蘋果可能會(huì)改變存儲(chǔ)容量,不再使用三層單元(TLC)NAND 閃存,而是在存儲(chǔ)容量達(dá)到或超過1TB的機(jī)型上使用四層單元(QLC)NAND閃存。
與TLC相比,QLC的優(yōu)勢(shì)在于每個(gè)存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)四位數(shù)據(jù),在使用相同數(shù)量的單元時(shí)比TLC儲(chǔ)存更多的數(shù)據(jù),或者使用更少的單元儲(chǔ)存更多的數(shù)據(jù),而這可以降低生產(chǎn)成本。
此外,QLC閃存被認(rèn)為不如TLC閃存可靠,寫入數(shù)據(jù)的耐久性會(huì)降低,因?yàn)槊總(gè)單元寫入的次數(shù)更多,因?yàn)槊總(gè)單元多包含一個(gè)位。
QLC NAND閃存可以存儲(chǔ)16種不同的電荷電平,而TLC僅能存儲(chǔ)8種電荷電平。讀取數(shù)據(jù)時(shí),由于電荷量增加,裕量減少,這就有可能因噪聲增加而導(dǎo)致位錯(cuò)誤增加。
如果蘋果繼續(xù)執(zhí)行這一計(jì)劃,一些版本的iPhone 16 用戶可能會(huì)遇到數(shù)據(jù)寫入速度低于低容量用戶的情況。
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