美光搶灘 1γ DDR5 內(nèi)存：最少化 EUV 使用，加速量產(chǎn)尖端 DRAM

　　3 月 11 日消息，美光(Micron)于今年 2 月向英特爾(Intel)和 AMD 等客戶交付 1γ(gamma)DDR5 樣品，成為內(nèi)存行業(yè)中首家實現(xiàn)這一突破的企業(yè)。

　　韓媒 chosun 昨日(3 月 10 日)發(fā)布博文，報道稱美光在交付的樣品中，其中只有一層使用極紫外光刻(EUV)設(shè)備，公司計劃通過減少 EUV 的使用，來加速量產(chǎn)尖端 DRAM。

　　IT之家援引博文介紹，美光選擇減少對 EUV 的依賴，轉(zhuǎn)而更多采用成熟的氬氟浸沒式光刻(ArFi)工藝。

　　根據(jù) ASML 的數(shù)據(jù)，下一代深紫外光刻(DUV)系統(tǒng)使用 193 納米波長的氬氟激光，可實現(xiàn) 38 納米特征尺寸的打印;而 EUV 光刻使用 13.5 納米波長的光，精度更高，但成本也更高。

　　美光表示，EUV 技術(shù)尚未完全穩(wěn)定，因此僅在必要時使用，這一策略短期內(nèi)可能提升量產(chǎn)速度，但長期來看，可能影響芯片的良率和性能。

　　與美光不同，三星和 SK 海力士在 DRAM 技術(shù)發(fā)展中更依賴 EUV 層。三星自 2020 年起在內(nèi)存生產(chǎn)中采用 EUV，計劃在其第 6 代 10 納米 DRAM(1c)中應(yīng)用超過 5 個 EUV 層。SK 海力士也在 2021 年引入 EUV 設(shè)備，并計劃在下一代 1c DRAM 中采用類似策略。

　　盡管美光減少對 EUV 的依賴可能短期內(nèi)節(jié)省成本，但長期可能面臨技術(shù)瓶頸。行業(yè)人士指出，ArFi 工藝需要更多步驟，可能導(dǎo)致良率下降。隨著 EUV 層數(shù)的增加，尤其是超過三層后，技術(shù)難度將顯著加大。