11月，扒一扒SiC電力電子器件技術(shù)那些事兒

 　　受北京市科委邀請，第十三屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA2016)將移師北京，于2016年11月15日至17日在北京國際會議中心召開。并將與2016中國(北京)跨國技術(shù)轉(zhuǎn)移大會暨第三代半導體國際論壇同期同地(以下簡稱“跨國技術(shù)轉(zhuǎn)移大會”)舉行，交相輝映。

　　此次跨國技術(shù)轉(zhuǎn)移大會，由中國科技部與北京市人民政府主辦，從2011年創(chuàng)辦至今，已連續(xù)舉辦五屆，已成功打造中國國際創(chuàng)新合作第一會議平臺，助力北京建設全國科技創(chuàng)新中心與國際交往中心。今年的跨國技術(shù)轉(zhuǎn)移大會將覆蓋眾多科技、產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新熱點領(lǐng)域，吸引更多在跨國技術(shù)轉(zhuǎn)移合作實踐之中具有互補性的國家和地區(qū)參與。

　　其中，以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等為代表的第三代半導體材料，具有高擊穿場強、高熱導率、高電子飽和速率、高抗輻射能力等優(yōu)越性能，是固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在半導體照明、新一代移動通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領(lǐng)域有廣闊的應用前景，可望成為支撐信息、能源、交通、國防等發(fā)展的重點新材料，正在成為全球半導體產(chǎn)業(yè)新的戰(zhàn)略高地。

　　本屆跨國技術(shù)轉(zhuǎn)移大會，將從技術(shù)、產(chǎn)業(yè)、應用等全鏈條策劃，通過高峰論壇、專題研討、應用峰會、合作論壇和創(chuàng)新大賽等多種形式，圍繞第三代半導體的前沿發(fā)展和技術(shù)應用設置，包括碳化硅電力電子器件、氮化鎵及其它新型寬禁帶半導體電力電子器件技術(shù)、第三代半導體與固態(tài)紫外器件等多個專場重點討論。

　　目前碳化硅電力電子器件技術(shù)專場分會，陣型已漸露陣容，大腕云集，看點十足。為了360度全方位保證分會的高水準，分會采用召集人+主席+分會團的模式，兼顧產(chǎn)學研，每一環(huán)節(jié)都有超強專家的鼎力支持。

　　分會召集人由全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院黨組書記、副院長，輸配電及節(jié)電技術(shù)國家工程研究中心主任邱宇峰和浙江大學教授，教育部長江學者，特聘教授，博士生導師盛況共同擔任。

　　邱宇峰曾擔任電力行業(yè)電能質(zhì)量及柔性輸電標準化技術(shù)委員會主任。主要從事柔性輸電、高壓直流輸電和電力系統(tǒng)繼電保護等領(lǐng)域的研發(fā)工作。是中國大功率電力電子技術(shù)的主要開創(chuàng)者之一。主持完成了國家973、863項目等多項研究，完成了中國第一臺用于輸電系統(tǒng)的靜止無功補償器、世界首臺1000kV串聯(lián)補償裝置、800kV特高壓直流換流閥及世界首個200kV直流斷路器等技術(shù)研發(fā)與工程應用，為特高壓電網(wǎng)及智能電網(wǎng)在中國的建設和發(fā)展做出了積極貢獻。

　　盛況主要從事電力電子器件及電力電子集成電路領(lǐng)域的研究，主持國家863項目、國家科技重大專項項目、國家自然基金項目，以及其他省部級項目等近10項。2002-2009在美國Rutegers大學(即新澤西州大學)任教;2009年被評為教育部長江學者，擔任浙江大學電氣工程學院特聘教授。2010年入選浙江省千人計劃;2012年入選“十二五”863計劃先進能源技術(shù)領(lǐng)域新型電力電子關(guān)鍵技術(shù)主題專家;任電力電子領(lǐng)域權(quán)威期刊IEEE Transactions on Power Electronic和IEEE Transactions on Industry Applications副主編。

　　倫斯勒理工大學教授周達成受邀擔任本次分會外方主席，周達成1977年至1989年，就職于美國通用電氣公司位于紐約州斯克內(nèi)克塔迪市的研發(fā)中心。1989年開始他在倫斯勒理工學院電氣、系統(tǒng)和計算機工程系工作。期間，獲得1982年度電化學學會的固態(tài)科學技術(shù)青年作者獎，并在1986年被奧古斯塔納學院授予地平線獎。至今已發(fā)表過70篇科學期刊論文，過百的大會演講，給四本技術(shù)型教科書寫過章節(jié)，并擁有超過10個專利。他同時也是IEEE的資深會士。目前其研究重點包括：發(fā)展新器件概念;高壓電力設備和集成電路模型;研究硅和寬禁帶化合物半導體;超大規(guī)模集成化金屬一體化工藝。

　　本次分會委員團隊同樣星光熠熠，力邀多位國內(nèi)外的權(quán)威專家共同坐鎮(zhèn)。分會成員張安平，西安交通大學電信學院教授，博士生導師，"千人計劃"國家特聘專家，IEEE高級會員，曾任美國EMCORE公司研究工程師，美國通用電氣公司研究中心資深科學家和項目負責人。

　　分會成員張玉明，西安電子科技大學微電子學院教授、院長，主要從事高性能半導體器件領(lǐng)域的研究工作，包括(1)高溫高頻大功率寬禁帶半導體器件和材料(SiC);(2)模擬(射頻)集成電路設計;(3)自旋電子學;(4)半導體器件模型和模擬;(5)半導體器件抗輻照加固技術(shù)等。他同時是國防科技重點學科“寬帶隙半導體技術(shù)”重點實驗室主任，全國重點學科微電子學與固體電子學博士導師，國際IEEE學會高級會員，IEEE-ED陜西分會主席。

　　分會成員徐現(xiàn)剛，山東大學教授，師從于蔣民華院士。教育部長江計劃的特聘教授， 973首席科學家。主要從事半導體材料制備及其應用研究的工作。 自1989年至今一直從事MOCVD化合物半導體薄膜材料的生長及器件應用工作，制備出多種量子異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料，應用到多種半導體器件如：半導體激光器、發(fā)光二極管等。自2000年開始SiC單晶生長和加工工作，先后突破了2~6英寸SiC單晶的生長與襯底加工技術(shù)，解決了超硬SiC單晶襯底的加工難題，制備出基于SiC襯底的GaN超高亮度發(fā)光二極管。先后承擔了多項863、973、國家重大專項等課題。獲得多項表彰和獎勵，如1995年洪堡學者，1999年在美國獲得由IEEE頒發(fā)的Best Paper Award，2000年獲得“國家杰出青年基金”，2003年“山東省科技進步一等獎”、“山東省留學回國創(chuàng)業(yè)獎”，2005年獲“山東省十大杰出青年”，2007年獲“政府特殊津貼獎”，2013年獲得“山東省技術(shù)發(fā)明一等獎”等。至今已發(fā)表超過150篇相關(guān)論文及會議報告。

　　分會委員柏松，寬禁帶半導體電力電子器件國家重點實驗室主任、中國電子科技集團公司第五十五研究所研究員。他一直致力于SiC器件的研發(fā)，在國內(nèi)首先實現(xiàn)了擊穿電壓超過10kV的SiC肖特基二極管和SiCPiN二極管，在高壓SiC JFET和SiC MOSFET技術(shù)開發(fā)方面也取得了重要成果。負責承擔和完成多項國家科技重大專項、高技術(shù)研究發(fā)展計劃等重大科研項目，申請發(fā)明專利17項，其中授權(quán)8項，曾獲國防科技進步一等獎一項。

　　分會委員于坤山，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長、北京國聯(lián)萬眾半導體科技有限公司副總裁、教授級高級工程師。于坤山長期從事電力電子，微電子，電能質(zhì)量等領(lǐng)域技術(shù)研究、產(chǎn)品研發(fā)、工程應用、標準化等工作。在電力系統(tǒng)電能質(zhì)量、定制電力、FACTS等方面取得了有影響力的成果。目前主要從事第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈建設及其系統(tǒng)解決方案、知識產(chǎn)權(quán)、標準化和平臺技術(shù)研究，探索第三代半導體技術(shù)與能源互聯(lián)網(wǎng)建設相結(jié)合的途徑。

　　國內(nèi)外的精英們齊聚一堂，高質(zhì)量的精彩報告當然是少不了的，分會外方主席倫斯勒理工大學教授周達成，分會成員、西安交通大學電信學院教授、博士生導師，"千人計劃"國家特聘專家張安平，分會成員、山東大學教授徐現(xiàn)剛，分會召集人、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院黨組書記、副院長、輸配電及節(jié)電技術(shù)國家工程研究中心主任、教授級高工邱宇峰和分會召集分、浙江大學教授、教育部長江學者、特聘教授、博士生導師盛況等都將做精彩特邀報告，分享關(guān)于碳化硅器件的最新研究進展。

　　澳大利亞格里菲斯大學微電子工程學院教授，兼昆士蘭微型和納米技術(shù)中心副主任Sima Dimitrijev也將帶來“后硅時代”的電力電子器件的特邀分享。Sima Dimitrijev曾先后就職于尼什的電子業(yè)半導體工廠、尼什大學的電子工程學院、澳大利亞格里菲斯大學。他是IEEE的資深會士，同時還是Pergamon-Elsevier出版的雜志《Microelectronics Reliability》的編輯顧問委員會會員。同時他還參與了工業(yè)聯(lián)盟計劃。目前他的研究重點是碳化硅電子，特別是碳化硅金屬氧化物半導體器件。

　　名古屋大學教授宇治原徹也將做特邀報告，宇治原徹目前是名古屋大學未來電氣可持續(xù)材料及系統(tǒng)研究所教授。其專業(yè)領(lǐng)域包括晶體生長、溶液生長、汽相生長、碳化硅、功率器件、太陽能電池、半導體光電、旋轉(zhuǎn)觀察、生物設備、半導體質(zhì)膜混合器件和脂質(zhì)二重層。研究領(lǐng)域包括應用材料科學、晶體工程、電子材料、電氣材料和金屬的物理性質(zhì)。

　　韓國東義大學先進材料工程系教授、電子陶瓷研究中心(ECC)副主任Won-Jae LEE也將做關(guān)于碳化硅電力電子器件最新研究的特邀報告，Won-Jae LEE一直專注SiC等材料的研究，曾先后在各國際期刊上發(fā)表約180篇論文，注冊有50個專利(包括5個美國專利)。

　　廣西大學教授馮哲川也將分享其最新研究成果，馮哲川從事第三代半導體研發(fā)超過二十年，包括碳化硅和III族氮化物的研究, 至今編輯出版了半導體及顯微結(jié)構(gòu)，多孔硅，碳化硅,III族氮化物，氧化鋅及奈米工程領(lǐng)域多本英文專書，發(fā)表過600多篇學術(shù)論文(超過250篇SCI收錄)引用超3500次。

　　作為一種新型的寬禁帶半導體材料，碳化硅因其出色的物理及電特性，正越來越受到產(chǎn)業(yè)界的廣泛關(guān)注。超強的陣容組合，加上高質(zhì)量的內(nèi)容，本次分會將全方位呈現(xiàn)當前碳化硅電力電子器件的研究進展，技術(shù)進展如何?有哪些趨勢?……相信你想知道的，都會有答案。11月15日，我們北京見!