紫光國芯發(fā)布格芯12納米工藝的 GDDR6 存儲控制器

　　1月6日消息 根據(jù)西安紫光國芯半導體的消息，紫光國芯在GLOBALFOUNDRIES(格芯)舉辦的中國全球科技會議上正式發(fā)布了基于格芯12納米低功耗工藝(GF 12LP)的GDDR6存儲控制器和物理接口IP。

　　官方表示，與已有的方案相比，新方案在芯片功耗、面積和成本等方面均有明顯的提升，并能滿足在面向人工智能(AI)和計算應用等熱點領(lǐng)域不斷增長的需求。

　　西安紫光國芯的GDDR6 MC/PHY IP包括一個可配置的內(nèi)存控制器(MC)，其完全符合DFI3.1和AMBA AXI4.0標準，并允許設(shè)計工程師生成具有優(yōu)化延遲和帶寬的GDDR6控制器以滿足高性能應用的要求，如顯卡，游戲機和AI計算等。該IP針對功耗和性能進行了優(yōu)化設(shè)計，西安紫光國芯的GDDR6物理接口(PHY)提供了高達12Gbps/13Gbps/14Gbps/16Gbps的數(shù)據(jù)速率，同時兼容JEDEC250和DFI3.1標準。物理接口(PHY)部分還嵌入了高性能鎖相環(huán)以滿足嚴格的時序規(guī)范。與主流GDDR6存儲顆粒集成，經(jīng)過流片測試驗證，該IP的性能在12Gbps/14Gbps/16Gbps數(shù)據(jù)率時滿足設(shè)計規(guī)格要求。且當數(shù)據(jù)率為16Gbps時，平均每個DQ的最大功耗小于4mW/Gbps。

　　目前，紫光國芯的GDDR6 MC/PHY IP已經(jīng)在格芯的12LP工藝平臺上架。