三星計(jì)劃明年初量產(chǎn)超過(guò) 300 層的第九代 V-NAND 閃存，號(hào)稱層數(shù)業(yè)內(nèi)最多

　　10 月 19 日消息，三星是全球最大的 NAND 閃存供應(yīng)商，對(duì)其 V-NAND(即三星稱之為的 3D NAND)的發(fā)展有著宏大的計(jì)劃，本周三星分享了一些相關(guān)信息。該公司證實(shí)，其正在按計(jì)劃生產(chǎn)擁有超過(guò) 300 層的第九代 V-NAND 閃存，并表示這將是業(yè)內(nèi)層數(shù)最多的 3D NAND。

　　“第九代 V-NAND 基于雙層結(jié)構(gòu)，層數(shù)達(dá)到業(yè)界最高水平，明年初將開(kāi)始量產(chǎn)。”三星電子總裁兼存儲(chǔ)器事業(yè)部負(fù)責(zé)人李政培(Lee Jung-Bae)在博客文章中寫(xiě)道。

　　IT之家注意到，8 月份就有消息稱，三星正在研發(fā)擁有超過(guò) 300 層的第九代 V-NAND，將繼續(xù)采用三星在 2020 年首次使用的雙層技術(shù)。而且三星現(xiàn)在表示其 3D NAND 的有效層數(shù)將超過(guò)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，目前我們知道 SK 海力士的下一代 3D NAND 將具有 321 層，因此三星第九代 V-NAND 層數(shù)應(yīng)該會(huì)更多。

　　層數(shù)的增加將使三星提高其 3D NAND 設(shè)備的存儲(chǔ)密度。該公司預(yù)計(jì)，未來(lái)的閃存類(lèi)型不僅會(huì)提高存儲(chǔ)密度，還會(huì)提高性能。

　　“三星還在研究下一代創(chuàng)造價(jià)值的技術(shù)，包括一種新的結(jié)構(gòu)，可以最大化 V-NAND 的輸入 / 輸出(I / O)速度。”李政培說(shuō)。

　　目前還不知道三星的第九代 V-NAND 在性能方面會(huì)有什么表現(xiàn)，不過(guò)相信該公司會(huì)使用這種存儲(chǔ)器來(lái)生產(chǎn)其即將推出的固態(tài)硬盤(pán)，可能會(huì)采用 PCIe Gen5 接口。

　　至于更長(zhǎng)期的技術(shù)創(chuàng)新，三星致力于最小化單元干擾、降低高度和最大化垂直層數(shù)，這將使其能夠?qū)崿F(xiàn)業(yè)內(nèi)最小的單元尺寸。這些創(chuàng)新將對(duì)推動(dòng)三星實(shí)現(xiàn)擁有超過(guò) 1000 層的 3D NAND 以及高度差異化的存儲(chǔ)器解決方案的愿景起到關(guān)鍵作用。