美光推出基于1β技術(shù)的DDR5內(nèi)存 速率高達7,200MT/s

　　10月20日消息，Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司)宣布已將業(yè)界領(lǐng)先的1β(1-beta)制程技術(shù)應用于16Gb容量版本的 DDR5內(nèi)存。美光1β DDR5 DRAM在系統(tǒng)內(nèi)的速率高達7,200 MT/s，現(xiàn)已面向數(shù)據(jù)中心及PC市場的所有客戶出貨�；�于1β節(jié)點的美光DDR5內(nèi)存采用先進的High-K CMOS器件工藝、四相時鐘和時鐘同步技術(shù)，相比上一代產(chǎn)品，性能提升高達50%，每瓦性能提升33%。

　　隨著CPU內(nèi)核數(shù)量的不斷增加以滿足數(shù)據(jù)中心工作負載需求，系統(tǒng)對更高的內(nèi)存帶寬與容量的需求也顯著增長，從而在應對“內(nèi)存墻”挑戰(zhàn)的同時優(yōu)化客戶的總體擁有成本。美光1β DDR5 DRAM支持計算能力向更高的性能擴展，能支持數(shù)據(jù)中心和客戶端平臺上的人工智能(AI)訓練和推理、生成式AI、數(shù)據(jù)分析和內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(IMDB)等應用。全新1β DDR5 DRAM產(chǎn)品線提供速率從4,800 MT/s到7,200 MT/s的現(xiàn)有模塊密度，能夠滿足數(shù)據(jù)中心和客戶端的應用需求。

　　美光核心計算設(shè)計工程部門企業(yè)副總裁Brian Callaway表示：“面向客戶端和數(shù)據(jù)中心平臺的1β DDR5 DRAM量產(chǎn)及出貨，標志著行業(yè)的一個重要里程碑。我們與生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及客戶緊密合作，將推動高性能內(nèi)存產(chǎn)品的市場普及。”

　　美光的1β技術(shù)已應用至公司廣泛的內(nèi)存解決方案，包括采用16Gb、24Gb和32Gb DRAM裸片的DDR5 RDIMM和MCRDIMM;采用16Gb和24Gb DRAM裸片的LPDDR5X;HBM3E和GDDR7。全新的美光16Gb DDR5內(nèi)存將通過直銷及渠道合作伙伴供貨。