1月5日消息,瀾起科技宣布推出DDR5第四子代寄存時鐘驅(qū)動器芯片(DDR5 RCD04),該芯片支持高達7200 MT/s的數(shù)據(jù)速率,較DDR5第一子代RCD速率提升50%,以應對新一代服務器平臺對內(nèi)存速率和帶寬不斷攀升的需求。
作為內(nèi)存接口技術(shù)的領(lǐng)導者,瀾起科技在全球微電子行業(yè)標準制定機構(gòu)JEDEC中牽頭制定DDR5 RCD芯片國際標準,并保持高水平研發(fā)投入,持續(xù)對產(chǎn)品進行迭代升級。自2021年發(fā)布DDR5第一子代內(nèi)存接口及模組配套芯片后,瀾起科技又相繼于2022年、2023年成功發(fā)布了DDR5第二子代、第三子代RCD芯片。
通過不斷升級打磨產(chǎn)品和技術(shù),瀾起科技于近期在DDR5第四子代RCD芯片的研發(fā)上再次取得成功,進一步鞏固了公司在內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。目前,瀾起科技已將最新的DDR5 RCD04工程樣片送樣給主要內(nèi)存廠商,助力客戶進行新一代內(nèi)存產(chǎn)品研發(fā)。
瀾起科技總裁Stephen Tai先生表示:“RCD芯片是內(nèi)存模組的核心組件,是CPU與內(nèi)存之間進行數(shù)據(jù)交互的重要通道。隨著人工智能、機器學習等應用飛速發(fā)展,不斷增長的CPU算力對內(nèi)存性能的要求日益增長。瀾起科技最新的DDR5 RCD04芯片可助力服務器系統(tǒng)突破性能瓶頸,為要求苛刻的工作負載提供關(guān)鍵支持。”
除了RCD芯片以外,瀾起科技還提供DDR5數(shù)據(jù)緩沖器(DB)、串行檢測集線器(SPD Hub)、溫度傳感器(TS)、電源管理芯片(PMIC)等內(nèi)存接口及模組配套芯片。這些芯片也是DDR5內(nèi)存模組的重要組件,可配合RCD芯片為DDR5內(nèi)存模組提供多種必不可少的功能和特性。
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