鎧俠最近公布了3D NAND閃存發(fā)展藍(lán)圖,目標(biāo)2027年實現(xiàn)1000層堆疊。
自2014年以來,3D NAND閃存的層數(shù)經(jīng)歷了顯著的增長,從初期的24層迅速攀升至2022年的238層,短短8年間實現(xiàn)了驚人的10倍增長。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長速度,預(yù)測到2027年達(dá)到1000層堆疊的目標(biāo)是完全可行的。
在3D NAND閃存技術(shù)的競賽中,鎧俠展現(xiàn)出了對層數(shù)挑戰(zhàn)的堅定決心,其目標(biāo)似乎比三星更為激進(jìn)。三星雖也計劃在2030年之前推出超過1000層的先進(jìn)NAND閃存芯片,并計劃引入新型鐵電材料來實現(xiàn)這一目標(biāo),但鎧俠卻更早地設(shè)定了具體的實現(xiàn)時間表。
去年,鎧俠推出了BiCS8 3D NAND閃存,其層數(shù)高達(dá)218層,采用1Tb三層單元(TLC)和四層單元(QLC)技術(shù),并通過創(chuàng)新的橫向收縮技術(shù),成功將位密度提高了50%以上。
若要實現(xiàn)2027年1000層堆疊的宏偉目標(biāo),鎧俠可能會進(jìn)一步探索五層單元(PLC)技術(shù)的應(yīng)用。
值得注意的是,提高3D NAND芯片的密度并非僅僅意味著增加層數(shù),更涉及到制造過程中可能遇到的一系列新問題和技術(shù)挑戰(zhàn)。
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