鎧俠公布3D NAND閃存發(fā)展藍(lán)圖：計(jì)劃2027年實(shí)現(xiàn)1000層堆疊

　　鎧俠最近公布了3D NAND閃存發(fā)展藍(lán)圖，目標(biāo)2027年實(shí)現(xiàn)1000層堆疊。

　　自2014年以來，3D NAND閃存的層數(shù)經(jīng)歷了顯著的增長，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實(shí)現(xiàn)了驚人的10倍增長。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長速度，預(yù)測到2027年達(dá)到1000層堆疊的目標(biāo)是完全可行的。

　　在3D NAND閃存技術(shù)的競賽中，鎧俠展現(xiàn)出了對(duì)層數(shù)挑戰(zhàn)的堅(jiān)定決心，其目標(biāo)似乎比三星更為激進(jìn)。三星雖也計(jì)劃在2030年之前推出超過1000層的先進(jìn)NAND閃存芯片，并計(jì)劃引入新型鐵電材料來實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，但鎧俠卻更早地設(shè)定了具體的實(shí)現(xiàn)時(shí)間表。

　　去年，鎧俠推出了BiCS8 3D NAND閃存，其層數(shù)高達(dá)218層，采用1Tb三層單元(TLC)和四層單元(QLC)技術(shù)，并通過創(chuàng)新的橫向收縮技術(shù)，成功將位密度提高了50%以上。

　　若要實(shí)現(xiàn)2027年1000層堆疊的宏偉目標(biāo)，鎧俠可能會(huì)進(jìn)一步探索五層單元（PLC）技術(shù)的應(yīng)用。

　　值得注意的是，提高3D NAND芯片的密度并非僅僅意味著增加層數(shù)，更涉及到制造過程中可能遇到的一系列新問題和技術(shù)挑戰(zhàn)。