SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級(jí)DDR5 DRAM

　　2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開發(fā)出采用第六代10納米級(jí)(1c)工藝的16Gb(Gigabit，千兆比特)DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現(xiàn)了10納米出頭的超微細(xì)化存儲(chǔ)工藝技術(shù)。

　　SK海力士強(qiáng)調(diào)：“隨著10納米級(jí)DRAM技術(shù)的世代相傳，微細(xì)工藝的難度也隨之加大，但公司以通過業(yè)界最高性能得到認(rèn)可的第五代(1b)技術(shù)力為基礎(chǔ)，提高了設(shè)計(jì)完成度，率先突破了技術(shù)極限。公司將在年內(nèi)完成1c DDR5 DRAM的量產(chǎn)準(zhǔn)備，從明年開始供應(yīng)產(chǎn)品，引領(lǐng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)發(fā)展。”

　　公司以1b DRAM平臺(tái)擴(kuò)展的方式開發(fā)了1c工藝。SK海力士技術(shù)團(tuán)隊(duì)認(rèn)為，由此不僅可以減少工藝高度化過程中可能發(fā)生的嘗試錯(cuò)誤，還可以最有效地將業(yè)界內(nèi)以最高性能DRAM受到認(rèn)可的SK海力士1b工藝優(yōu)勢(shì)轉(zhuǎn)移到1c工藝。

　　而且，SK海力士在部分EUV工藝中開發(fā)并適用了新材料，也在整個(gè)工藝中針對(duì)EUV適用工藝進(jìn)行了優(yōu)化，由此確保了成本競(jìng)爭(zhēng)力。與此同時(shí)，在1c工藝上也進(jìn)行了設(shè)計(jì)技術(shù)革新，與前一代1b工藝相比，其生產(chǎn)率提高了30%以上。

　　此次1c DDR5 DRAM將主要用于高性能數(shù)據(jù)中心，其運(yùn)行速度為8Gbps(每秒8千兆比特)，與前一代相比速度提高了11%。另外，能效也提高了9%以上。隨著AI時(shí)代的到來，數(shù)據(jù)中心的耗電量在繼續(xù)增加，如果運(yùn)營(yíng)云服務(wù)的全球客戶將SK海力士1c DRAM采用到數(shù)據(jù)中心，公司預(yù)測(cè)其電費(fèi)最高能減少30%。

　　SK海力士DRAM開發(fā)擔(dān)當(dāng)副社長(zhǎng)金鍾煥表示：“1c工藝技術(shù)兼?zhèn)渲�最高性能和成本�?jìng)爭(zhēng)力，公司將其應(yīng)用于新一代HBM*、LPDDR6*、GDDR7*等最先進(jìn)DRAM主力產(chǎn)品群，由此為客戶提供差別化的價(jià)值。今后公司也將堅(jiān)守DRAM市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)力，鞏固最受客戶信賴的AI用存儲(chǔ)器解決方案企業(yè)的地位。”

　　*HBM(High Bandwidth Memory): 垂直連接多個(gè)DRAM，與DRAM相比顯著提升數(shù)據(jù)處理速度的高附加值、高性能產(chǎn)品。HBM DRAM產(chǎn)品以HBM(第一代)-HBM2(第二代)-HBM2E(第三代)-HBM3(第四代)-HBM3E(第五代)-HBM4(第六代)-HBM4E(第七代)的順序開發(fā)。

　　*LPDDR(低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率)：是一種用于智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)端產(chǎn)品的DRAM規(guī)格，以耗電量最小化為目的，具備低電壓運(yùn)行特征。規(guī)格名稱為L(zhǎng)P(Low Power)，最新規(guī)格為L(zhǎng)PDDR第七代(5X)，按1-2-3-4-4X-5X-6順序開發(fā)。

　　*GDDR(Graphics DDR，圖形用雙倍數(shù)據(jù)傳輸率存儲(chǔ)器)：由國(guó)際半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)組織(JEDEC)規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)圖形用DRAM規(guī)格。專用于圖形處理的規(guī)格，該系列產(chǎn)品按照3、5、5X、6、7的順序來開發(fā)而成，系列越新，運(yùn)行速度越快，能效也越高。該產(chǎn)品作為廣泛應(yīng)用于圖形和人工智能領(lǐng)域的高性能存儲(chǔ)器而受到關(guān)注。