2024年8月29日,SK海力士宣布,全球首次成功開發(fā)出采用第六代10納米級(1c)工藝的16Gb(Gigabit,千兆比特)DDR5 DRAM。由此,公司向世界展現(xiàn)了10納米出頭的超微細化存儲工藝技術。
SK 海力士公司今日宣布,公司開發(fā)出用于端側(On-Device)AI 的移動端 NAND 閃存解決方案產(chǎn)品“ZUFS(Zoned UFS)4.0”。
伴隨著3D NAND的堆疊層數(shù)越來越多,設備廠商以及存儲廠商正在想方設法的研究新的生產(chǎn)技術從而改進生產(chǎn)效率。
5 月 6 日消息,據(jù)韓媒 The Elec 和《首爾經(jīng)濟新聞》報道,SK 海力士在 5 月 2 日舉行的“AI 時代,SK 海力士藍圖和戰(zhàn)略”記者招待會上表示,其 HBM4 內(nèi)存的量產(chǎn)時間已提前到 2025 年。
據(jù)韓媒 NEWSIS 報道,SK 海力士在今日的 2024 年一季度財報電話會議上表示將在年內(nèi)推出 1bnm 32Gb DDR5 內(nèi)存顆粒。
韓國電信巨頭SK telecom宣布與全球電信公司德國電信合作,共同開發(fā)旨在實現(xiàn)AI視覺的大語言模型(LLM)。這一合作計劃于2023年第一季度發(fā)布面向電信領域的專業(yè)化LLM。
8月9日消息,SK海力士于當?shù)貢r間8日,在美國加利福尼亞州圣克拉拉舉辦的“2023閃存峰會” (Flash Memory Summit, FMS)上,公布了321層1TB TLC(Triple Level Cell) 4D NAND閃存開發(fā)的進展,并展示了現(xiàn)階段開發(fā)的樣品。
據(jù) digitime 報道,繼長江存儲傳出將調(diào)漲 NAND 產(chǎn)品價格后,有消息指出韓國三星電子、SK 海力士也將跟進 3~5% 漲幅。
近日,德國柏林國際電子消費品展覽會(IFA2024)隆重舉辦。憑借在核心技術、產(chǎn)品設計及應用方面的創(chuàng)新變革,全球領先的智能終端企業(yè)TCL實業(yè)成功斬獲兩項“IFA全球產(chǎn)品設計創(chuàng)新大獎”金獎,有力證明了其在全球市場的強大影響力。
近日,中國家電及消費電子博覽會(AWE 2024)隆重開幕。全球領先的智能終端企業(yè)TCL實業(yè)攜多款創(chuàng)新技術和新品亮相,以敢為精神勇闖技術無人區(qū),斬獲四項AWE 2024艾普蘭大獎。
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由世界人工智能大會組委會、上海市經(jīng)信委、徐匯區(qū)政府、臨港新片區(qū)管委會共同指導,由上海市人工智能行業(yè)協(xié)會聯(lián)合上海人工智能實驗室、上海臨港經(jīng)濟發(fā)展(集團)有限公司、開放原子開源基金會主辦的“2024全球開發(fā)者先鋒大會”,將于2024年3月23日至24日舉辦。