SK海力士正測試低溫蝕刻技術(shù) 堆疊層數(shù)進(jìn)一步提升

　　伴隨著3D NAND的堆疊層數(shù)越來越多，設(shè)備廠商以及存儲廠商正在想方設(shè)法的研究新的生產(chǎn)技術(shù)從而改進(jìn)生產(chǎn)效率。根據(jù)最新的消息表明SK海力士和三星目前都正在對東京電子最新的低溫蝕刻設(shè)備進(jìn)行測試，這一設(shè)備對于提升3D NAND的堆疊層數(shù)有著更加重大的意義。

　　據(jù)韓媒thelec的消息，SK海力士就在評估東京電子最新的低溫蝕刻設(shè)備，該設(shè)備可以在-70℃的低溫下運行，用來生成400層以上堆疊的新型3D NAND。低溫蝕刻設(shè)備的鉆孔速度是傳統(tǒng)工具的三倍，對多層數(shù)的3D NAND非常有用。SK海力士正在把測試晶圓發(fā)送到東京電子的實驗室，從而評估新設(shè)備的能力。當(dāng)前的蝕刻工藝是在0℃到30℃的溫度范圍內(nèi)工作的，而東京電子的蝕刻設(shè)備在-70℃低溫下運行，這形成了鮮明的對比，根據(jù)他們的論文數(shù)據(jù)，新的蝕刻機(jī)可以在33分鐘內(nèi)進(jìn)行10微米深的高深度比蝕刻，比現(xiàn)有工具快三倍以上，這一成果是一項重大的技術(shù)進(jìn)步，而且大大提升了3D NAND的生產(chǎn)效率。

　　SK海力士現(xiàn)在的321層3D NAND據(jù)說采用了三重堆棧結(jié)構(gòu)，采用東京電子的新設(shè)備后可能以單堆棧或雙堆棧的方式構(gòu)建400層的3D NAND，生產(chǎn)效率明顯提高，當(dāng)然這能否成功還得看設(shè)備的可靠性以及性能一致性。此外SK海力士考慮應(yīng)用低溫蝕刻設(shè)備的另一個原因是減少碳排放，現(xiàn)有的蝕刻工藝中，使用的是具有較高全球變暖潛能值(GWP)的碳氟化合氣體，如四氟化碳和八氟丙烷，其GWP分別為6030和9540，但東京電子新一代蝕刻設(shè)備使用的是GWP小與1的氟化氫氣體，這將大幅減少溫室氣體的排放。

　　同時三星也在驗證這一新技術(shù)，與SK海力士不同的是，三星是直接引進(jìn)東京電子的新設(shè)備進(jìn)行測試。