SK海力士：12層堆疊HBM3E開發(fā)三季度完成，下半年整體內(nèi)存供應(yīng)可能面臨不足

　　據(jù)韓媒 Viva100 報(bào)道，SK 海力士在今日舉行的一季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上表示其 12 層堆疊(12Hi)HBM3E 內(nèi)存開發(fā)有望三季度完成，而下半年整體內(nèi)存供應(yīng)可能面臨不足。

　　目前三星電子已發(fā)布其 12Hi HBM3E 產(chǎn)品，該內(nèi)存單堆棧容量達(dá) 36GB，目前已開始向客戶出樣，預(yù)計(jì)下半年大規(guī)模量產(chǎn)。

　　SK 海力士表示，今年客戶主要聚焦 8Hi HBM3E 內(nèi)存，SK 海力士將為明年客戶對(duì) 12Hi HBM3E 需求的全面增長做好準(zhǔn)備。

　　HBM3E 內(nèi)存在價(jià)格方面相較 HBM3 更為昂貴，因?yàn)樾庐a(chǎn)品可提供更大的帶寬和容量。

　　電話會(huì)議上，SK 海力士稱，其將優(yōu)先確保擁有更高附加值且需求能見度更高的 HBM 內(nèi)存供應(yīng);HBM 內(nèi)存芯片尺寸又是常規(guī) DRAM 的兩倍。

　　這些因素會(huì)相對(duì)擠壓常規(guī) DRAM 的晶圓投片量，預(yù)計(jì)下半年產(chǎn)能將受到限制。

　　SK 海力士預(yù)估，如果下半年 PC 和智能手機(jī)需求復(fù)蘇導(dǎo)致現(xiàn)有庫存耗盡，內(nèi)存市場將面臨緊張局勢(shì)。

　　對(duì)于未來的 HBM4 內(nèi)存，SK 海力士表示混合鍵合技術(shù)的應(yīng)用將被推遲，因?yàn)樵摷夹g(shù)存在較大難度，貿(mào)然引入會(huì)對(duì)產(chǎn)能和質(zhì)量帶來風(fēng)險(xiǎn)。

　　SK 海力士將在 16Hi HBM 中沿用現(xiàn)有的 MR-MUF(IT之家注：批量回流模制底部填充，Mass reflow molded underfill)鍵合技術(shù)，待到混合鍵合成熟后再進(jìn)行使用。