三星HBM4內(nèi)存進(jìn)入試生產(chǎn)階段：計劃2025年底量產(chǎn)

　　據(jù)報道，三星DS部門存儲業(yè)務(wù)部最近完成了HBM4內(nèi)存的邏輯芯片設(shè)計。Foundry業(yè)務(wù)部方面也已經(jīng)根據(jù)該設(shè)計，采用4nm試產(chǎn)。

　　HBM，即高帶寬存儲器，憑借其卓越的性能，在高性能計算(HPC)、人工智能(AI)以及圖形處理(GPU)等前沿領(lǐng)域發(fā)揮著舉足輕重的作用。

　　據(jù)知情人士透露，運(yùn)行時發(fā)熱一直是制約HBM發(fā)展的主要障礙，而在整個堆棧結(jié)構(gòu)中，邏輯芯片更是發(fā)熱的“重災(zāi)區(qū)”。因此，采用先進(jìn)的制程技術(shù)對于提升HBM4的能效與性能表現(xiàn)至關(guān)重要。

　　在制造方面，三星不僅利用自家4nm技術(shù)制造邏輯芯片，還引入了10nm制程來生產(chǎn)DRAM，以打造更為出色的HBM4產(chǎn)品。

　　從行業(yè)數(shù)據(jù)來看，HBM4標(biāo)準(zhǔn)支持高達(dá)2048位的接口和6.4GT/s的數(shù)據(jù)傳輸速率。與HBM3E相比，HBM4的單個堆棧帶寬已飆升至1.6TB/s，這一顯著的提升使得內(nèi)存系統(tǒng)的數(shù)據(jù)吞吐能力大幅增強(qiáng)，從而能夠更有效地滿足人工智能、深度學(xué)習(xí)、大數(shù)據(jù)處理以及高性能計算等領(lǐng)域?qū)��?nèi)存性能的嚴(yán)苛要求。

　　目前，三星的HBM4開發(fā)工作正穩(wěn)步推進(jìn)，預(yù)計將于2025年下半年正式投入量產(chǎn)。(鹿角)