不被海外巨頭牽鼻子，朗科DDR4臺式機內(nèi)存評測：國產(chǎn)開始雄起

　　說起內(nèi)存條，我們腦海里會自然的想到金士頓、威剛、海盜船等國際大牌，其實在國內(nèi)同樣存在一些有實力的本土存儲企業(yè)，只不過在消費級領(lǐng)域中并沒有上述品牌那般知名，其中最具代表的便是深圳著名移動存儲品牌朗科。

　　要知道界第一款閃存盤發(fā)明者便是朗科，同時朗科也是政府機構(gòu)指定的移動存儲品牌供應(yīng)商，所以朗科的實力毋庸置疑。而我個人早期也買過不少朗科的U盤產(chǎn)品，可以說算是老相識。聽說最近朗科開始進軍內(nèi)存條領(lǐng)域，所以迫不及待的入了一條來和大家一起體驗下，看看具體表現(xiàn)。

　　開箱曬物：經(jīng)典無馬甲設(shè)計

　　朗科此次一共推出了兩個版本內(nèi)存條，分別是臺式機版本與筆記本版本，考慮到我個人使用臺式機較多，所以選用的依舊是臺式機版本。

　　朗科DDR4內(nèi)存條整體包裝具有濃濃的科技感，正面除了印刷有對應(yīng)的品牌Logo和產(chǎn)品名外，在左側(cè)還有一個可視窗，可以直觀的看到朗科內(nèi)存上粘貼的產(chǎn)品標(biāo)簽。

　　包裝背面是產(chǎn)品的一些基礎(chǔ)參數(shù)，這里有兩點信息值得一說。首先是朗科為該款內(nèi)存提供了終身質(zhì)保，解決了用戶的售后擔(dān)憂;其次這款內(nèi)存條同樣屬于朗科的超光系列，而我手上的這條只是單DDR4-2666MHz 8GB內(nèi)存，其實朗科還提供了3000MHz和3200MHz兩種頻率版本供大家選擇。

　　朗科DDR4 2666內(nèi)存并沒有采用馬甲包裹，可以說是典型的無馬甲內(nèi)存外觀，采用的是8層黑色PCB板。

　　臺式機版本的朗科DDR4 2666內(nèi)存規(guī)格為1R*8，單面8顆粒設(shè)計，單顆顆粒為1G容量，工作電壓為1.2V，頻率為2666MHz，時序為C19-19-19-43。

　　細(xì)看內(nèi)存條上的顆粒，可以看到是由朗科自身封裝的顆粒，型號是NKD4CB61GB-2103。

　　整個背面比較干凈，板材下的線路清晰可見，整體美觀度較好，同時黑色的PCB板也能更好的融入主板環(huán)境。

　　軟件信息識別：時序C19-19-19-43

　　通過軟件Thaiphoon Burner查看朗科DDR4 2666內(nèi)存的SPD信息，可以看到Thaiphoon Burner識別出朗科DDR4 2666內(nèi)存顆粒為長鑫顆粒，型號為CXDQ3A8AM，作為一顆完全國產(chǎn)顆粒，這點首先是值得肯定和高興的，同時長鑫顆粒具有較高的超頻潛力，這就為喜歡通過超頻壓榨內(nèi)存性能的小伙伴提供了更多的可玩空間。不過稍顯遺憾的是朗科并沒有為這條內(nèi)存提供XMP，默認(rèn)為2666MHz，時序為C19-19-19-43。

　　CPU-Z的SPD選項頁，同樣識別出為長鑫顆粒，頻率2666MHz，電壓是1.2V。

　　雙通道兼容性測試

　　考慮到部分小伙伴購買內(nèi)存是用來升級擴容，所以雙通道的兼容性成為了一個不可忽略的屬性，我這里找了一根芝奇的8G內(nèi)存來做雙通道兼容性測試，因為這兩根來自于不同的品牌，不同的顆粒，不同的時序，如果能成功組成雙通道，那么可見朗科這根內(nèi)存的雙通道兼容性良好。

　　從上圖的測試來看，顯然雙通道已經(jīng)組建成功，而雙通道帶來的直接好處便是性能成倍提升，但是這里還是建議有條件的小伙伴使用兩根同樣型號的朗科內(nèi)存條，這樣整體性能和穩(wěn)定性都會更加出色一些。

　　基礎(chǔ)性能測試：

　　測試平臺為平臺用的是i7-8700K+華碩ROG STRIX Z370-E GAMING，通過AIDA 64的內(nèi)存測試看看朗科DDR4 2666內(nèi)存的理論數(shù)據(jù)。

　　在默認(rèn)2666MHz頻率下，朗科DDR4 2666內(nèi)存的讀取、寫入和復(fù)制成績分別是19299MB/s、18441MB/s和18509MB/s，內(nèi)存延遲63.3ns，整體表現(xiàn)中規(guī)中矩。

　　同樣在2666MHz頻率下，通過Sisoftware測出內(nèi)存帶寬為13GB/s。

　　超頻測試：

　　正如上文提及，長鑫顆粒的潛能還是非常大的，我自然也不會這么輕松的放過這根朗科內(nèi)存。考慮到這根內(nèi)存并不支持XMP，所以直接在BIOS里將內(nèi)存頻率調(diào)整到2800MHz(第一次超，保險一點)，測試電壓依舊保持1.2V不變。

　　此時AIDA 64下內(nèi)存的讀取速度為21170MB/s，寫入速度19838MB/s，復(fù)制內(nèi)存20425MB/S, 分別提升至9.7%、7.5%、10.4%，內(nèi)存延遲60.1ns，而時序依舊保持C19-19-19-43不變。

　　內(nèi)存帶寬從13GB/s提升到了13.58GB/s，提升空間并不明顯，但這也是第一次保守嘗試。

　　接下來我準(zhǔn)備來個極限測試，但前提依舊是不調(diào)整時序和電壓，畢竟調(diào)整時序這些對于普通用戶還是有一定門檻，只在BIOS里提升內(nèi)存頻率，來看看朗科內(nèi)存日常穩(wěn)定運行的極限成績在哪里。

　　在BIOS中直接將內(nèi)存頻率提升至3200MHz，此時內(nèi)存的讀取速度為22622MB/s，寫入速度22114MB/s，復(fù)制內(nèi)存21383MB/S, 分別提升至17.2%、20%、15.5%，內(nèi)存延遲54.5ns。要知道這么高的性能就等于白撿，何樂而不為。

　　內(nèi)存帶寬從13GB/s提升到了15.76GB/s。

　　回到實際的應(yīng)用軟件中，在3200MHz頻率下WINRAR基準(zhǔn)測試為9141KB/s。

　　總結(jié)：國產(chǎn)內(nèi)存開始雄起

　　作為一款國產(chǎn)內(nèi)存，朗科超光DDR4 2666 8G臺式內(nèi)存的表現(xiàn)令人滿意，在做工和顆粒上可圈可點;盡管是國產(chǎn)長鑫內(nèi)存顆粒，但是性能上可以說一點也不含糊，雖說初始頻率并不高，但是卻留給用戶極大的超頻空間，在不改變電壓和時序的前提下，分分鐘上到3200MHz，用2666MHz的錢白撿3200MHz的性能;兼容性上也能很好的和不同品牌內(nèi)存組成雙通道，實現(xiàn)性能翻翻。

　　最后配合不足300元的售價，可以說性價比超群。如果不是特意追求炫酷燈光和馬甲，朗科超光DDR4 2666 8G臺式內(nèi)存顯然是非常值得考慮的選擇之一，同時終身質(zhì)保也免去了消費者的后顧之憂。而新品上市，朗科也為大家?guī)�來了不小的福利�?月26日新品首發(fā)價格259， 3月26日-4月30日可以享受10元疊加優(yōu)惠券和返5元E卡。(作者：十八線老編)