蘋(píng)果還會(huì)用嗎？三星3nm工藝宣布延期：落后臺(tái)積電一年

　　2021年國(guó)產(chǎn)IP與定制芯片生產(chǎn)大會(huì)上，三星電子公開(kāi)了其3nm制程工藝的規(guī)劃，其將延后至2023年投產(chǎn)。此前，三星曾表示3nm制程工藝將會(huì)在2022年投產(chǎn)。

　　據(jù)三星解釋?zhuān)�其�?022年投產(chǎn)的是3nm工藝為3GAE，即3nm gate-all-around early，是早期的試錯(cuò)版本，而三星在2023年推出的是3GAP，即3nm gate-all-around plus，這是3GAE的進(jìn)階版本，該版本將會(huì)更完善，更能提供成熟的代工產(chǎn)品。

　　三星的制程工藝相對(duì)先進(jìn)，但其制造出的產(chǎn)品的質(zhì)量，往往不如人意。其自家的Exynos SoC，就經(jīng)常出現(xiàn)功耗過(guò)大的情況，為高通代工的驍龍888 SoC，功耗表現(xiàn)也不及預(yù)期，這導(dǎo)致諸多采用該SoC的手機(jī)產(chǎn)品，在功耗表現(xiàn)上遭受了消費(fèi)者的詬病。

　　另外，三星生產(chǎn)出的芯片的晶體管密度也較低。10nm及更先進(jìn)的制程工藝，全球只有英特爾、三星和臺(tái)積電進(jìn)行了量產(chǎn)。Digitimes專(zhuān)門(mén)做了一張圖來(lái)對(duì)比三家的技術(shù)演進(jìn)。

　　單從晶體管密度這一指標(biāo)來(lái)說(shuō)，英特爾的7nm工藝，臺(tái)積電的5nm工藝，三星的3nm工藝幾乎在一個(gè)水準(zhǔn)上。三星的制程工藝雖然和臺(tái)積電差不多，但晶體管數(shù)量上差距很大。

　　在晶圓代工業(yè)務(wù)上，三星是靠便宜的的代工價(jià)格搶臺(tái)積電的訂單，但以后，三星還要面對(duì)英特爾的競(jìng)爭(zhēng)。英特爾今年發(fā)布了IDM 2.0戰(zhàn)略，宣布將更多為其他企業(yè)進(jìn)行代工，其會(huì)在7月26號(hào)舉行Intel Accelerated直播活動(dòng)，將會(huì)公布英特爾制程技術(shù)與封裝產(chǎn)品組合發(fā)展路線圖等，其入局晶圓代工之后，或會(huì)造就一個(gè)新的代工格局。

　　在這三家之中，臺(tái)積電的代工工藝最為先進(jìn)成熟，蘋(píng)果等對(duì)自家產(chǎn)品有高要求的企業(yè)，代工都是交給臺(tái)積電，其代工工期也早已排滿(mǎn)，股價(jià)更是上了天，排在美股第7，比阿里巴巴還高。英特爾和三星將在第二梯隊(duì)展開(kāi)激烈競(jìng)爭(zhēng)，三星3nm工藝?yán)^續(xù)延期的話，部分訂單或會(huì)被英特爾7nm工藝搶走。