中科院在OLET核心高遷移率發(fā)光有機半導(dǎo)體材料制備方面取得進(jìn)展

　　中國科學(xué)院化學(xué)研究所有機固體實驗室董煥麗課題組在 OLET(有機發(fā)光場效應(yīng)晶體管)核心高遷移率發(fā)光有機半導(dǎo)體材料的制備方面取得了進(jìn)展。

　　中國科學(xué)院消息顯示，科研人員針對傳統(tǒng)垂直 OLET 器件工藝復(fù)雜、且穩(wěn)定性差和平面 OLET 器件線狀發(fā)光形態(tài)導(dǎo)致的開口率低等問題，提出了新型平面型面光源出射 OLET 器件結(jié)構(gòu)。

　　據(jù)介紹，在該器件結(jié)構(gòu)中，在發(fā)光單元和傳輸層之間引入一層電荷調(diào)控緩沖層(charge transport buffer layer，CTB layer)，有效調(diào)控了漏極發(fā)光層下的電流分布，對于面光源出射起到重要作用。仿真模擬表明，在平面型 OFET 器件中引入 CTB 電荷傳輸層，改變了傳統(tǒng)平面 OFET 器件中的橫向電場分布，進(jìn)而提升了漏電極下的電荷分布均勻性，這一現(xiàn)象通過設(shè)計劈裂電極器件結(jié)構(gòu)得到了很好的證實。

　　值得一提的是，基于這種器件結(jié)構(gòu)，研究引入合適的發(fā)光層，制備出 RGB 三基色的平面型面光源 OLET 顯示器件基元，其表現(xiàn)出良好的柵極調(diào)控能力(開關(guān)比 > 106)及不受柵壓影響的面光源發(fā)光形態(tài)。進(jìn)一步源于該器件結(jié)構(gòu)的靈活設(shè)計性，研究制備了基于 U 形漏電極的大開口率 OLET 顯示器件(在考慮到實際像素中配套線路和開關(guān)晶體管等必要元器件所占面積情況下，其開口率仍可 > 80%)。同時，作為一種獨特的電壓驅(qū)動顯示器件，其易實現(xiàn)飽和工作區(qū)，因而表現(xiàn)出獨立于源漏電壓的良好穩(wěn)定性。