據(jù)Yole報(bào)道,盡管 MCU 市場(chǎng)在 2022 年年底表現(xiàn)強(qiáng)勁,但預(yù)計(jì) 2023 年上半年將出現(xiàn)下滑,下半年將逐漸恢復(fù),更換周期與大流行驅(qū)動(dòng)的峰值有關(guān)。通貨膨脹和全球沖突持續(xù)存在,但潛在衰退的跡象正在減弱。
Yole預(yù)計(jì),2023 年 MCU 收入將小幅下降至 229 億美元,復(fù)合年增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)為 5.3%(2022-2028 年)。盡管 2023 年將面臨挑戰(zhàn),但通貨膨脹和被壓抑需求的減少預(yù)計(jì)將刺激增長(zhǎng),到 2028 年將達(dá)到約 320 億美元。預(yù)計(jì) 2023 年平均售價(jià)將小幅增長(zhǎng),全年保持歷史最高水平,然后逐漸下降2024 年和 2022-2028 年平均售價(jià)復(fù)合年增長(zhǎng)率為 2.3%。
Yole表示,全球MCU出貨量受益于2023年下半年的強(qiáng)勁增長(zhǎng),但上半年的疲軟預(yù)計(jì)將導(dǎo)致下降至265億顆。2022年至2028年的短期MCU市場(chǎng)因全球地緣政治而面臨不確定性,而在自動(dòng)化和連接性的推動(dòng)下,MCU的長(zhǎng)期需求依然強(qiáng)勁,預(yù)計(jì)到2028年將增長(zhǎng)至超過(guò)367億顆。
Yole提供的數(shù)據(jù)指出,2023年,MCU平均售價(jià)預(yù)計(jì)將小幅上漲,并全年保持在歷史高位。由于供應(yīng)鏈中斷而轉(zhuǎn)向價(jià)格更高的 MCU 可能會(huì)成為新常態(tài)。4/8/16 位市場(chǎng)份額的下降速度比預(yù)期更快,在 RISC-V 架構(gòu)和對(duì)高級(jí)功能的需求的推動(dòng)下,大部分增長(zhǎng)發(fā)生在 32 位領(lǐng)域。到 2028 年,按收入計(jì)算,4/8/16 位市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)將降至 33% 以下。
在排名前五的 MCU 細(xì)分市場(chǎng)中,按收入計(jì)算,汽車(chē)預(yù)計(jì)到 2023 年將占 MCU 市場(chǎng)的近 39%,而工業(yè)和其他領(lǐng)域仍保持在 24%。與此同時(shí),由于強(qiáng)勁的嵌入式安全趨勢(shì),智能卡/安全 MCU 預(yù)計(jì)將達(dá)到 14%。另一方面,由于設(shè)備更換率較低,消費(fèi)者細(xì)分市場(chǎng)預(yù)計(jì)將下降至略高于 11%,個(gè)人數(shù)據(jù)處理比例將下降至 5%。
總結(jié)而言,2023 年,汽車(chē)行業(yè)將繼續(xù)成為 MCU 收入的重要推動(dòng)力,從而帶動(dòng)整體 ASP 的增長(zhǎng)。與此同時(shí),工業(yè)和其他應(yīng)用將保持穩(wěn)定的份額,而智能卡/安全 MCU 預(yù)計(jì)將在強(qiáng)勁的嵌入式安全趨勢(shì)的推動(dòng)下增長(zhǎng)。然而,消費(fèi)者細(xì)分市場(chǎng)將略有下降,個(gè)人數(shù)據(jù)處理也將減少,這主要是由于設(shè)備更換率有限。此外,MCU市場(chǎng)之前的供應(yīng)鏈挑戰(zhàn)似乎已經(jīng)得到解決。
EMEA MCU 供應(yīng)商主導(dǎo)市場(chǎng),但中國(guó)大陸增長(zhǎng)強(qiáng)勁
*的 MCU 設(shè)計(jì)商,包括英飛凌、瑞薩和恩智浦,展開(kāi)了激烈的競(jìng)爭(zhēng),彼此之間的差異微乎其微。恩智浦繼續(xù)保持其在汽車(chē)MCU市場(chǎng)的主導(dǎo)地位。隨著 COVID-19 大流行過(guò)渡到流行階段,MCU 供應(yīng)商一直在全球范圍內(nèi)調(diào)整其策略。競(jìng)爭(zhēng)格局保持穩(wěn)定,小型供應(yīng)商數(shù)量不斷增加,尤其是在亞洲市場(chǎng)。
中國(guó)主要OEM廠商已進(jìn)入半導(dǎo)體行業(yè),特別關(guān)注MCU制造。它們的增長(zhǎng)是由智能家居生態(tài)系統(tǒng)、汽車(chē)行業(yè)的需求不斷增長(zhǎng)以及人工智能在各種應(yīng)用中的采用推動(dòng)的。這些公司積極參與芯片設(shè)計(jì),以加強(qiáng)供應(yīng)鏈控制。此外,內(nèi)部 MCU 開(kāi)發(fā)可實(shí)現(xiàn)自給自足。為了鞏固這些公司的地位,這些中國(guó)公司進(jìn)行了大量投資。
能源效率仍然是主要特征,同時(shí)也追求高性能
邊緣計(jì)算和物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 的興起導(dǎo)致對(duì)功能更強(qiáng)大的混合 MCU 作為復(fù)雜片上系統(tǒng) (SoC) 和微處理器單元 (MPU) 替代品的需求增加。多核處理器變得越來(lái)越普遍,高性能MCU占MCU市場(chǎng)收入的30%。
令人驚訝的是,盡管預(yù)測(cè)會(huì)過(guò)時(shí),但隨著價(jià)格效率差距的縮小,4/8/16 位 MCU 預(yù)計(jì)將與增長(zhǎng)更快的 32 位 MCU 一起繼續(xù)增長(zhǎng)。這些更簡(jiǎn)單的 MCU 在特定應(yīng)用中作為經(jīng)濟(jì)高效、低功耗的解決方案仍然很受歡迎。
在對(duì)*性能、效率和集成的需求的推動(dòng)下,MCU 正在進(jìn)入高級(jí)節(jié)點(diǎn)領(lǐng)域。這種轉(zhuǎn)變提供了微處理器和 MCU 之間的選擇,使能源效率與先進(jìn)節(jié)點(diǎn)保持一致,以滿(mǎn)足新興技術(shù)的需求。
在非易失性存儲(chǔ)器領(lǐng)域,28nm以下的eFlash(嵌入式閃存)出現(xiàn)了縮放挑戰(zhàn),從而帶來(lái)了成本挑戰(zhàn)。這促使人們探索替代嵌入式非易失性存儲(chǔ)器 (eNVM),例如 PCM、RRAM 和 MRAM。這些 eNVM 有望實(shí)現(xiàn)更高的密度和效率,并被從 28/22nm 一直到 16nm 的*廠商所采用,未來(lái)的路線圖目標(biāo)是 10nm 以下的尺寸。
MCU 封裝傳統(tǒng)上以引線鍵合和倒裝芯片等架構(gòu)為主,只有一小部分過(guò)渡到晶圓級(jí)封裝。
在開(kāi)源架構(gòu)領(lǐng)域,RISC-V正在挑戰(zhàn)ARM在嵌入式核心IP領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。未來(lái)五年,RISC-V 預(yù)計(jì)將快速增長(zhǎng),雖然它可能不會(huì)取代 ARM,但它將減緩 ARM 的增長(zhǎng),特別是首先影響成熟或遺留技術(shù)。向 RISC-V 的過(guò)渡會(huì)帶來(lái)成本,例如開(kāi)發(fā)新技能和管理第三方依賴(lài)項(xiàng)。
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