據(jù)媒體報道,有多名知情人士透露,隨著芯片制造競賽的升級,三星電子計劃采用競爭對手SK海力士的技術。
目前市場對于HBM(高帶寬存儲)芯片的需求越來越大,然而與競爭對手SK海力士和美光相比,三星卻失去了英偉達的大單。
分析人士普遍認為,三星之所以丟掉大單,很大程度上源于其堅持采用非導電薄膜(NCF)芯片工藝;而SK海力士使用的批量回流模制底部填充(MR-MUF)工藝,則有效解決了NCF技術的弊端。
分析師認為,三星HBM3芯片的良率表現(xiàn)并不理想,僅維持在10-20%的水平;相比之下,其競爭對手SK海力士的HBM3良率高達60-70%。
無奈之下,三星也開始計劃采用SK海力士使用的MR-MUF工藝,而非此前堅持的NCF技術。
知情人士稱,三星最近已發(fā)出了處理MR-MUF技術的設備采購訂單,還在與包括日本長瀨公司在內(nèi)的材料制造商洽談采購MUF材料的事宜。
但盡管如此,由于需要進行更多的測試和優(yōu)化,三星使用這一技術的芯片最早要到明年才能實現(xiàn)量產(chǎn)。
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