丟掉AI芯片大單三星急了：計(jì)劃改用對(duì)手SK海力士的技術(shù)

　　據(jù)媒體報(bào)道，有多名知情人士透露，隨著芯片制造競(jìng)賽的升級(jí)，三星電子計(jì)劃采用競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士的技術(shù)。

　　目前市場(chǎng)對(duì)于HBM(高帶寬存儲(chǔ))芯片的需求越來(lái)越大，然而與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士和美光相比，三星卻失去了英偉達(dá)的大單。

　　分析人士普遍認(rèn)為，三星之所以丟掉大單，很大程度上源于其堅(jiān)持采用非導(dǎo)電薄膜(NCF)芯片工藝;而SK海力士使用的批量回流模制底部填充(MR-MUF)工藝，則有效解決了NCF技術(shù)的弊端。

　　分析師認(rèn)為，三星HBM3芯片的良率表現(xiàn)并不理想，僅維持在10-20%的水平;相比之下，其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士的HBM3良率高達(dá)60-70%。

　　無(wú)奈之下，三星也開(kāi)始計(jì)劃采用SK海力士使用的MR-MUF工藝，而非此前堅(jiān)持的NCF技術(shù)。

　　知情人士稱，三星最近已發(fā)出了處理MR-MUF技術(shù)的設(shè)備采購(gòu)訂單，還在與包括日本長(zhǎng)瀨公司在內(nèi)的材料制造商洽談采購(gòu)MUF材料的事宜。

　　但盡管如此，由于需要進(jìn)行更多的測(cè)試和優(yōu)化，三星使用這一技術(shù)的芯片最早要到明年才能實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。