作為 2024 IEEE VLSI 研討會活動的一部分,英特爾近日在官網(wǎng)介紹了 Intel 3 工藝節(jié)點的技術(shù)細(xì)節(jié)。
Intel 3 是英特爾最后一代 FinFET 晶體管工藝,相較 Intel 4 增加了使用 EUV 的步驟,也將是一個長期提供代工服務(wù)的節(jié)點家族,包含基礎(chǔ) Intel 3 和三個變體節(jié)點。
其中 Intel 3-E 原生支持 1.2V 高電壓,適合模擬模塊的制造;而未來的 Intel 3-PT 進一步提升了整體性能,并支持更精細(xì)的 9μm 間距 TSV 和混合鍵合。
英特爾宣稱,作為其“終極FinFET 工藝”,Intel 3-PT 將在未來多年成為主流選擇,與埃米級工藝節(jié)點一同被內(nèi)外部代工客戶使用。
相較于僅包含 240nm 高性能庫(IT之家注:HP 庫)的 Intel 4 工藝,Intel 3 引入了 210nm 的高密度(HD)庫,在晶體管性能取向上提供更多可能。
英特爾表示,其基礎(chǔ) Intel 3 工藝在采用高密度庫的情況下,可相較 Intel 4 工藝至多可提升 18% 頻率。
此外英特爾還宣稱基礎(chǔ)版 Intel 3 工藝密度也增加了 10%,實現(xiàn)了“全節(jié)點”級別的提升。
而在晶體管上的金屬布線層部分,Intel 3 在 Intel 4 的 14+2 層外還提供了 12+2 和 19+2 兩種新選項,分別面向低成本和高性能用途。
具體到每個金屬層而言,英特爾在 Intel 3 的 M0 和 M1 等關(guān)鍵層上保持了與 Intel 4 相同的間距,主要是將 M2 和 M4 的間距從 45nm 降低至 42nm。
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