鼓勵多技術路線探索，消息稱三星電子準備開發(fā)傳統(tǒng)結構 1e nm DRAM 內(nèi)存

　　12 月 30 日消息，韓媒 the bell 當?shù)貢r間 26 日報道稱，三星電子準備啟動采用常規(guī)結構的 1e nm(IT之家注：即第 8 代 10 納米級)制程 DRAM，實現(xiàn)先進內(nèi)存開發(fā)多軌化，為未來可能的商業(yè)化提供更豐富技術儲備。

　　結合三星前任存儲器業(yè)務負責人李禎培今年 9 月展示的路線圖和《韓國經(jīng)濟日報》10 月的報道，三星電子原計劃在 2026 年推出的 1d nm 內(nèi)存后于 2027 年推出基于 4F2 VCT 創(chuàng)新結構的 0a nm 內(nèi)存。

　　韓媒表示 1e nm DRAM 有望于 2028 年推出，若其最終走向商業(yè)化則 4F2 VCT DRAM 的量產(chǎn)預計將至少延至 2029 年。

　　4F2 VCT DRAM 的優(yōu)勢在于其 DRAM 單元更為小巧，且能更有效利用垂直方向空間，但這也意味著其生產(chǎn)流程將引入大量新技術、新設備，將大幅提升資本支出和生產(chǎn)成本;相比之下延續(xù)傳統(tǒng)結構的 1e nm DRAM 具有明顯成本優(yōu)勢。

　　內(nèi)部消息人士表示，在經(jīng)歷縮小 HBM 開發(fā)團隊規(guī)模導致未能在 HBM 市場占據(jù)有利地位的重大戰(zhàn)略錯誤后，三星內(nèi)部忽視非主要產(chǎn)品技術開發(fā)的氛圍已有很大改善，這一變化推動了 1e nm DRAM 等“備選技術”的發(fā)展。