三星電子否認(rèn)重新設(shè)計(jì) 1b DRAM，力求提升性能和良率

　　1 月 22 日消息，消息源 DigiTimes 今天(1 月 22 日)發(fā)布博文，報(bào)道稱三星電子否認(rèn)了關(guān)于重新設(shè)計(jì)其第五代 10nm 級(jí) DRAM(1b DRAM)的報(bào)道。

　　IT之家昨日援引 ETNews 報(bào)道，三星電子內(nèi)部為應(yīng)對(duì)其 12nm 級(jí) DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能雙重困局，已在 2024 年底決定在改進(jìn)現(xiàn)有 1b nm 工藝的同時(shí)從頭設(shè)計(jì)新版 1b nm DRAM。

　　市場觀察人士認(rèn)為，三星修改 1b DRAM 設(shè)計(jì)的決定源于競爭壓力。SK 海力士和美光已在 HBM 中采用 1b DRAM，而三星仍在使用之前的 1a DRAM。

　　此外，據(jù)報(bào)道，三星啟動(dòng)了名為“D1b-p”的開發(fā)項(xiàng)目，旨在提高其 DRAM 業(yè)務(wù)的競爭力，“p”代表“prime”，象征著卓越的品質(zhì)，該項(xiàng)目重點(diǎn)關(guān)注提高電源效率和散熱性能。

　　盡管三星是全球 DRAM 領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，但目前正面臨來自 SK 海力士和美光的挑戰(zhàn)。這兩家公司都已成功商業(yè)化 1b DRAM，SK 海力士甚至在 2024 年 8 月率先完成了 1c DRAM 的開發(fā)。

　　有消息稱，三星 Galaxy S25 系列智能手機(jī)即將發(fā)布，美光將成為其主要的移動(dòng) DRAM (LPDDR5) 供應(yīng)商。這被認(rèn)為是由于三星尚未完全解決 1b LPDDR5X 的良率和散熱問題。

　　三星通過該媒體予以否認(rèn)，稱相關(guān)報(bào)道不準(zhǔn)確。此次事件引發(fā)了業(yè)界廣泛關(guān)注，凸顯了存儲(chǔ)芯片市場競爭的激烈程度。

　　盡管三星否認(rèn)了重新設(shè)計(jì)的報(bào)道，但業(yè)內(nèi)人士透露，三星的目標(biāo)是提升 1b DRAM 的性能和良率。據(jù)稱，重新設(shè)計(jì)涉及工藝調(diào)整，成本高昂且復(fù)雜，三星已緊急訂購設(shè)備，計(jì)劃在 2024 年底前完成安裝和測(cè)試，更新后的 1b DRAM 預(yù)計(jì)將于 2025 年第二或第三季度量產(chǎn)。