消息稱三星電子推動西安工廠閃存工藝進(jìn)一步升級：年內(nèi)建成 V9 NAND 產(chǎn)線

　　2 月 13 日消息，韓媒 SEDaily 昨日報道稱，三星中國西安 NAND 閃存工廠在將制程從第六代 V-NAND(IT之家注：136 層)轉(zhuǎn)換至第八代(238 層)的基礎(chǔ)上，還計(jì)劃在年內(nèi)建設(shè)第九代(286 層)產(chǎn)線。

　　報道宣稱，三星西安 NAND 廠生產(chǎn) V9 NAND 所需的新設(shè)備將于今年上半年導(dǎo)入，目標(biāo)是到年底建成晶圓吞吐量達(dá)每月 2000~5000 片的產(chǎn)線。

　　三星電子在去年先后宣布其基于第九代 V-NAND 技術(shù)的 TLC 和 QLC 顆粒量產(chǎn)，目前相關(guān)產(chǎn)品正在其韓國平澤 P4 工廠制造。而三星下代堆疊達(dá) 4XX 層的 V10 NAND 預(yù)計(jì)將于 2 月 19 日在 ISSCC 2025 上對外公布。

　　韓媒認(rèn)為，三星正通過制程升級轉(zhuǎn)換來提升高性能、高容量、高盈利能力的“三高”先進(jìn)節(jié)點(diǎn) NAND 在其整體產(chǎn)能中的占比，應(yīng)對目前情況不佳的閃存市況;同時工藝變動帶來的自然減產(chǎn)也能加速供需平衡的到來。