臺(tái)積電3nm工藝代工價(jià)3萬美元：價(jià)格超高

　　按照臺(tái)積電的計(jì)劃，2021年下半年會(huì)量產(chǎn)3nm工藝，比早前預(yù)計(jì)的晚了3-4個(gè)月。臺(tái)積電3nm工藝進(jìn)度慢，一方面是量產(chǎn)難度的問題，另一方面可能就是代工價(jià)太高。

　　據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，由于EUV光罩層數(shù)高達(dá)26層，3nm工藝12英寸晶圓的報(bào)價(jià)高達(dá)3萬美元，相比5nm工藝的16900美元幾乎翻倍，是7nm工藝報(bào)價(jià)9346美元的3倍多。

　　此前7nm、5nm工藝下單顆芯片成本在233、288美元，3萬美元的代工價(jià)格將大幅提高芯片成本，即便3nm工藝的晶體管密度提升了70%，面積可減少42%，這樣算下來依然輕松達(dá)到300-400美元之間。因此，只有類似英特爾、蘋果這樣的大用戶才能吃下首批代工的成本，用產(chǎn)品來攤平這部分費(fèi)用。