臺積電4nm制程是2022年旗艦芯片入場券 聯(lián)發(fā)科成首批玩家

　　從2020年開始,“缺芯”問題就一直困擾整個手機市場,眾多產(chǎn)品在發(fā)布后因為“缺芯”問題,出現(xiàn)了長期缺貨甚至一機難求的情況。截止目前,由于全球范圍內(nèi)的晶圓產(chǎn)能吃緊,以及芯片代工費用持續(xù)上漲,全球“缺芯”非但沒有緩解,而且有愈演愈烈之勢。

　　今年市場普遍的痛點是“888發(fā)熱”,三星的5nm在行業(yè)中飽受詬病,聯(lián)發(fā)科則是選擇了臺積電6nm,性能與功耗兼?zhèn)?憑借6nm移動芯片產(chǎn)品組合實現(xiàn)逆風(fēng)翻盤。據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)機構(gòu)IC Insights日前發(fā)布的2021Q2全球十大半導(dǎo)體廠商報告顯示,聯(lián)發(fā)科銷售額取得了環(huán)比增長17%的佳績,增幅超過高通,勢頭十分強勁。

　　2021年第二季度半導(dǎo)體廠商的銷售額排名(圖/IC Insights官網(wǎng))

　　更成熟的6nm制程立功,快速搶占5G手機市場

　　能實現(xiàn)如此驕人的成績,與芯片制程的選擇有密不可分的關(guān)系。在友商紛紛采用三星5nm制程的情況下,聯(lián)發(fā)科毅然選擇了更成熟的臺積電6nm制程,踏準了2021年的宏觀趨勢。

　　據(jù)媒體報道,目前能生產(chǎn)5nm制程的代工廠僅有臺積電和三星,由于臺積電的5nm生產(chǎn)線被Apple的大量訂單所占據(jù),這導(dǎo)致了其他芯片廠商只能轉(zhuǎn)投三星。

　　有媒體報道臺積電的5nm生產(chǎn)線被蘋果的大量訂單所占據(jù)

　　另外早前有韓媒報道,三星 5nm制程良品率低于50%,導(dǎo)致芯片出貨量受到影響。與此同時,憑借臺積電 6nm制程優(yōu)秀的技術(shù)成熟度和良品率,以聯(lián)發(fā)科天璣5G系列為代表的6nm移動芯片在2021年始終保持著穩(wěn)定表現(xiàn)、良好的市場銷量和口碑,最終幫助聯(lián)發(fā)科實現(xiàn)了銷售額的逆風(fēng)翻盤。

　　有媒體報道三星 5nm制程良品率低于50%

　　持續(xù)布局6nm組合,欲用臺積電4nm在高端市場鎖定勝局

　　正如前文所提到的,聯(lián)發(fā)科轉(zhuǎn)向6nm制程是基于對產(chǎn)品、技術(shù)的長期規(guī)劃和對市場節(jié)奏的判斷。聯(lián)發(fā)科多款天璣5G移動芯片采用了臺積電6nm制程,從定位旗艦的天璣1200、天璣1100,到主打中高端和主流市場的天璣920、天璣900、天璣810,聯(lián)發(fā)科已經(jīng)形成了一個覆蓋多價位段的6nm移動芯片產(chǎn)品組合,為手機廠商實現(xiàn)多樣化產(chǎn)品線布局提供了有力支持,進一步擴大聯(lián)發(fā)科的市場占有率。

　　同時,采用臺積電6nm制程的天璣5G移動芯片也受到了行業(yè)的高度肯定。在此前進行的中國電信5G芯片評測中,天璣1200就在SA基礎(chǔ)協(xié)議、吞吐量性能、通話性能、功耗性能四個專項測試均取得第一名(含并列)。尤其在功耗性能方面,天璣1200更是唯一滿分表現(xiàn)的旗艦移動芯片,不僅得益于聯(lián)發(fā)科獨家的MediaTek 5G UltraSave省電技術(shù),也突顯了6nm制程在功耗方面的巨大優(yōu)勢。在中國移動的5G手機綜合評測TOP排行榜中,包括Redmi K40游戲版、Redmi Note 10 Pro、OPPO Reno6 Pro、vivo S9等多款搭載6nm制程天璣5G移動芯片的手機名列前茅。

　　天璣1200旗艦移動芯片獲得了中國電信的五星好評,功耗性能得到全場唯一滿分(圖/網(wǎng)絡(luò))

　　在中國移動的測試中,

　　天璣1200芯片的功耗性能獲得全場唯一五星評價(圖/網(wǎng)絡(luò))

　　除了不斷豐富6nm制程移動芯片,聯(lián)發(fā)科還積極與臺積電在更先進的制程上保持密切合作,布局明年的頂級旗艦市場。據(jù)數(shù)碼科技博主日前爆料,聯(lián)發(fā)科下一代天璣旗艦5G SoC采用臺積電的4nm制程,并搭配最先進的Arm V9架構(gòu),功耗很穩(wěn)。

　　數(shù)碼博主爆料下一代天璣旗艦采用臺積電4nm制程+ArmV9架構(gòu)的組合,真旗艦無疑(圖/網(wǎng)絡(luò))

　　據(jù)聯(lián)發(fā)科在Q2財報會上透露,采用臺積電4nm制程的旗艦芯片將于2021年底發(fā)布,屆時聯(lián)發(fā)科將領(lǐng)跑芯片技術(shù)競賽。由此看來,踏準今年的6nm后,聯(lián)發(fā)科將在明年的4nm制程時代來一次“彎道超車”,旗艦手機市場或?qū)⒂瓉硪淮蜗磁?這樣的風(fēng)云變幻著實令人期待。