除了硅基芯片之外,光子芯片也是未來的一大重點,其原理跟硅芯片不同,運算速度可提升1000倍以上,而且不依賴先進的光刻機,比如EUV光刻機,因此是各國爭相發(fā)展的新一代信息科技。
來自《北京日報》的消息,記者從中科鑫通獲悉,國內(nèi)首條“多材料、跨尺寸”的光子芯片生產(chǎn)線已在籌備,預(yù)計將于2023年在京建成,可滿足通信、數(shù)據(jù)中心、激光雷達、微波光子、醫(yī)療檢測等領(lǐng)域需求,有望填補我國在光子芯片晶圓代工領(lǐng)域的空白。
據(jù)悉,光子芯片是光電子器件的核心組成部分,與集成電路芯片相比存在多處不同。例如:
從性能而言,光子芯片的計算速度較電子芯片快約1000倍,且功耗更低。
從材料而言,InP、GaAS等二代化合物半導體是光子芯片更為常用的材料,而集成電路一般采用硅片。
從制備而言,光子芯片的制備流程與集成電路芯片存在一定相似性,但側(cè)重點在于外延設(shè)計與制備環(huán)節(jié),而非光刻環(huán)節(jié)。
民生證券指出,這也決定了光子芯片行業(yè)中,IDM模式是主流,有別于標準化程度高、行業(yè)分工明確的集成電路芯片。
值得一提的是,相較于電子芯片,光子芯片對結(jié)構(gòu)的要求較低,一般是百納米級,因此降低了對先進工藝的依賴。中科鑫通總裁隋軍也表示,光子芯片使用我國已相對成熟的原材料及設(shè)備就能生產(chǎn),而不像電子芯片一樣,必須使用EUV等極高端光刻機。
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