快充頭有望“白菜價” 日企新技術(shù)將氮化鎵半導體材料成本降 90%

　　日本最大的半導體晶圓企業(yè)信越化學工業(yè)和從事 ATM 及通信設備的 OKI 公司日前宣布，其開發(fā)出了以低成本制造使用氮化鎵(GaN)的功率半導體材料的技術(shù)。

　　據(jù)介紹，該技術(shù)可將制造成本降至傳統(tǒng)制法的十分之一以下。如果能夠量產(chǎn)，將有利于普及快速充電器等設備。

　　IT之家從官方新聞稿獲悉，信越化學工業(yè)和 OKI 開發(fā)的新技術(shù)可以在特有的 QST 基板上噴鎵系氣體，使晶體生長。信越化學工業(yè)的增厚晶體技術(shù)與 OKI 的接合技術(shù)相結(jié)合，從基板上只揭下晶體。晶體放在其他基板上作為功率半導體的晶圓使用。

　　信越化學工業(yè)表示，在 GaN 基板上使 GaN 晶體生長的制法不僅制造耗費時間，成品率還很差，成本高。新制法可以高效制造晶體，可以降低 9 成成本。與在矽基板上使 GaN 晶體生長的制法相比，不需要基板與晶體之間的絕緣層。加上晶體的厚膜化，可以通 20 倍大的電流。

　　信越化學工業(yè)透露，這一技術(shù)可以制造 6 英寸晶圓，希望在 2025 年增大到 8 英寸，今后還考慮向半導體廠商銷售技術(shù)等業(yè)務模式。