根據(jù)韓媒 ETNews 報道,三星和 SK 海力士都計(jì)劃 2024 年增加半導(dǎo)體設(shè)備投資。
三星計(jì)劃投資 27 萬億韓元(IT之家備注:當(dāng)前約 1482.3 億元人民幣),比 2023 年投資預(yù)算增加 25%;而 SK 海力士計(jì)劃投資 5.3 萬億韓元(當(dāng)前約 290.97 億元人民幣),比今年的投資額增長 100%。
報道中指出,三星和 SK 海力士在增加半導(dǎo)體設(shè)備投資之外,還提高了 2024 年的產(chǎn)能目標(biāo)。
報道稱三星將 DRAM 和 NAND 閃存的產(chǎn)量提高 24%,而 SK 海力士的目標(biāo)是將 DRAM 產(chǎn)能提高到 2022 年年底水平。
根據(jù)集邦咨詢公布的 2023 年第 3 季度營收數(shù)據(jù),在市場份額方面,三星在 DRAM 領(lǐng)域占有約 38.9% 的市場份額,而 SK 海力士則為 34.3%。
在 NAND 領(lǐng)域,三星擁有約 31.4% 的市場份額,而 SK 海力士則占 20.2%。
DRAM 和 NAND 市場由于長期供應(yīng)過剩,主要制造商都采取了減產(chǎn)的方式,這種情況直到近期才有所緩解。
在價格反彈的情況下,韓國兩大公司計(jì)劃進(jìn)行重大投資,這引發(fā)了人們對存儲器行業(yè)可能面臨新挑戰(zhàn)的擔(dān)憂。
此外,業(yè)界普遍認(rèn)為,未來一些與 AI 相關(guān)的應(yīng)用將需要大容量內(nèi)存支持。例如,明年全球智能手機(jī)出貨量預(yù)計(jì)將增長 3%,預(yù)計(jì)將促進(jìn)高價值內(nèi)存市場需求的擴(kuò)大。
集邦咨詢也指出,近期有關(guān)內(nèi)存廠商擴(kuò)大投資、提升產(chǎn)能的消息,主要是受 HBM 市場需求增長的推動,而非所有產(chǎn)品的產(chǎn)能擴(kuò)張。
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