3 月 8 日消息,據(jù)韓媒 etnews 近日報道,三星電子正與應(yīng)用材料合作,以降低其 4nm 工藝中 EUV 光刻的用量。
相比傳統(tǒng) DUV 技術(shù),EUV 光刻可實現(xiàn)更高的圖案化精度,但相對應(yīng)的,也更昂貴。
而對于尖端半導(dǎo)體,晶圓廠越來越多地使用 EUV 雙重圖案化來實現(xiàn)小于單次 EUV 光刻分辨率限制的芯片特征,以優(yōu)化芯片面積,而這意味著整體成本的成倍增加。
據(jù)報道,三星正在 4nm 制程上評估應(yīng)用材料的 Centura Sculpta 系統(tǒng),以縮短工藝流程,降低成本。
該系統(tǒng)于去年初發(fā)布,實現(xiàn)了一項名為圖案塑形的新功能。
▲ 應(yīng)用材料 Centura Sculpta 圖案塑形系統(tǒng)
圖案塑形可以精確定向修改晶圓特征圖形的尺寸,增強 EUV 圖案化性能,減少最關(guān)鍵圖層的圖案化次數(shù),進而實現(xiàn)功率、性能、面積、成本和上市時間的改進。
應(yīng)用材料宣稱,Centura Sculpta 系統(tǒng)可在每片晶圓上節(jié)約 50 美元(IT之家備注:當(dāng)前約 360 元人民幣)的制造成本,并減少能源和水資源的消耗以及二氧化碳的排放。
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