消息稱三星電子 V9 QLC NAND 閃存尚未獲量產就緒許可，影響平澤 P4 工廠規(guī)劃

　　韓媒 ZDNet Korea 報道稱，三星電子 V9 NAND 閃存的 QLC 版本尚未獲得量產許可，對平澤 P4 工廠的產線建設規(guī)劃造成了影響。

　　三星電子今年 4 月宣布其 V9 NAND 閃存的 1Tb 容量 TLC 版本實現(xiàn)量產，對應的 QLC 版本則將于今年下半年進入量產階段。

　　然而直到現(xiàn)在，三星電子并未對 V9 QLC NAND 閃存下達 PRA(IT之家注：應指 Production Readiness Approval)量產就緒許可。而容量更高、成本更低的 QLC 閃存目前正是 AI 推理服務器存儲需求的熱點。

　　明星產品前景不明，使得三星電子內部對是否將平澤 P4 工廠第一階段完全用于 NAND 生產存在不同聲音。

　　根據三星電子此前的規(guī)劃，平澤 P4 工廠將成為一個綜合性的半導體生產中心，其包含四個階段，可制造邏輯、NAND、DRAM 等產品，

　　其中 P4 工廠的第一階段用于 NAND 生產、第二階段用于邏輯代工、第三和第四階段用于 DRAM 制造。

　　不過由于晶圓代工訂單數(shù)量不足，而以 HBM 為代表的 DRAM 內存產品需求火爆，三星電子已于上半年調整了平澤 P4 工廠投資計劃，先行建設 DRAM 內存產線，延后邏輯代工線建設。

　　三星電子目前在平澤 P4 工廠第一階段的 NAND 產能為每月 10000 片晶圓，此前提出了到明年將月度晶圓投片量提升至 45000 片的目標。

　　但 V9 QLC NAND 并未及時得到量產許可，導致有內部人士認為應該將第一階段的部分建設面積用于前景更明確的 DRAM 生產。