三星第9代V-NAND閃存將首次采用鉬材料：可降低層高和延遲

　　據(jù)媒體報(bào)道，三星在其第9代V-NAND閃存技術(shù)的革新中，巧妙地在金屬化工藝環(huán)節(jié)引入了鉬（Mo）作為替代材料，與之并行的另一路徑則繼續(xù)沿用傳統(tǒng)的鎢材料。

　　面對(duì)鎢材料在降低層高方面已觸及的物理極限，三星前瞻性地轉(zhuǎn)向鉬，這一轉(zhuǎn)變不僅有望實(shí)現(xiàn)層高30%至40%的進(jìn)一步縮減，還能顯著降低NAND閃存的響應(yīng)時(shí)間，為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域帶來前所未有的性能飛躍。三星的這一決策，預(yù)示著NAND材料供應(yīng)鏈即將迎來深刻的變革與重塑。

　　值得注意的是，鉬材料的引入并非易事，它要求生產(chǎn)設(shè)備能夠耐高溫處理，將固態(tài)鉬原材料加熱至600℃以轉(zhuǎn)化為氣態(tài)，這與六氟化鎢(WF6)的處理方式截然不同。

　　為此，三星已積極行動(dòng)，從Lam Research公司引入了首批5臺(tái)Mo沉積機(jī)，并規(guī)劃在未來一年內(nèi)再增購20臺(tái)，以加速其鉬基NAND的生產(chǎn)布局。

　　供應(yīng)鏈方面，三星正與多家領(lǐng)先供應(yīng)商緊密合作，包括Entegris和Air Liquide，以確保穩(wěn)定的鉬源供應(yīng)。同時(shí)，Merck等公司也積極響應(yīng)，向三星提供了鉬材料的樣品，展示了行業(yè)對(duì)新技術(shù)路徑的廣泛支持與期待。

　　此外，SK海力士、美光和鎧俠等業(yè)界巨頭也紛紛跟進(jìn)，探索在NAND生產(chǎn)中采用鉬材料的可行性，共同推動(dòng)半導(dǎo)體材料的革新進(jìn)程。

　　然而，鉬材料的采用也伴隨著成本的提升，其市場(chǎng)價(jià)格相較于六氟化鎢高出近十倍。盡管如此，鑒于其在提升性能方面的顯著優(yōu)勢(shì)，以及未來在DRAM和邏輯芯片領(lǐng)域的潛在應(yīng)用前景，鉬材料正成為眾多企業(yè)競(jìng)相追逐的新寵。這一趨勢(shì)預(yù)示著六氟化鎢市場(chǎng)將面臨不可避免的收縮壓力，而含鉬材料的市場(chǎng)則將迅速崛起。