根據(jù)韓媒 The Elec 報道,三星在其第 9 代 V-NAND 的“金屬布線”(metal wiring)中首次嘗試使用鉬(Mo)。
IT之家注:半導體制造過程中八大工藝分別為:晶圓制造、氧化、光刻、刻蝕、沉積、金屬布線、測試和封裝。
其中金屬布線工藝主要是使用不同的方式連接數(shù)十億個電子元器件,形成不同的半導體(CPU、GPU 等),可以說是“為半導體注入了生命”。
消息人士稱三星公司已從 Lam Research 公司引進了五臺 Mo 沉積機,此外還計劃明年再引進 20 臺設(shè)備。
除三星電子外,SK 海力士、美光和 Kioxia 等公司也在考慮使用鉬。和現(xiàn)有 NAND 工藝中所使用的六氟化鎢(WF6)不同,鉬前驅(qū)體(molybdenum precursor)是固態(tài),必須在 600℃ 的高溫下才能升華直接轉(zhuǎn)化為氣態(tài),而這個過程需要單獨的沉積設(shè)備。
三星今年 5 月報道,已經(jīng)啟動了首批第九代 V-NAND 閃存量產(chǎn),位密度比第八代 V-NAND 提高了約 50%。
第九代 V-NAND 配備了下一代 NAND 閃存接口“Toggle 5.1”,可將數(shù)據(jù)輸入 / 輸出速度提高 33%,最高可達每秒 3.2 千兆位(Gbps)。除了這個新接口,三星還計劃通過擴大對 PCIe 5.0 的支持來鞏固其在高性能固態(tài)硬盤市場的地位。
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