消息稱(chēng)三星電子啟動(dòng)下代 1c nm DRAM 內(nèi)存量產(chǎn)設(shè)備訂購(gòu)，明年 2 月引進(jìn)

　　12 月 11 日消息，韓媒 ZDNet 當(dāng)?shù)貢r(shí)間 9 日援引行業(yè)報(bào)告表示，三星電子已于近日啟動(dòng)下代 1c nm 制程 DRAM 內(nèi)存量產(chǎn)所需設(shè)備的采購(gòu)，從 Lam Research 泛林集團(tuán)等主要半導(dǎo)體設(shè)備制造商購(gòu)買(mǎi)的設(shè)備將于明年 2 月左右引進(jìn)至量產(chǎn)線。

　　三星電子目前尚未官宣 1c nm(IT之家注：第 6 代 10nm 級(jí)制程)DRAM。報(bào)道指出三星電子的 1c nm 目前處于試產(chǎn)狀態(tài)，已得到首批 Good Die 良品晶粒，其首條 1c nm 量產(chǎn)線將設(shè)置于韓國(guó)京畿道平澤 P4 工廠。

　　業(yè)內(nèi)人士表示，三星電子 1c nm 量產(chǎn)投資的初期規(guī)模不會(huì)很大，這是因?yàn)樯行钑r(shí)日來(lái)實(shí)現(xiàn)這一新制程 DRAM 良率的穩(wěn)定，待工藝成熟后三星才會(huì)進(jìn)行額外的投資。

　　此前有消息稱(chēng)三星電子已確認(rèn)將在下代 HBM4 中應(yīng)用 1c nm DRAM，可以說(shuō) 1c nm 的表現(xiàn)很大程度上決定了三星能否在競(jìng)爭(zhēng)激烈的 HBM 內(nèi)存市場(chǎng)趕上甚至超越目前的領(lǐng)先者 SK 海力士。