三星電子引入ASML High NA EUV設(shè)備 加速2納米制程布局

　　據(jù)韓媒FNnews報道，三星電子近日在其華城園區(qū)引入了ASML生產(chǎn)的High NA極紫外光刻(EUV)設(shè)備，旨在提升2納米及以下制程的競爭力。ASML的High NA EUV設(shè)備“EXE:5000”是全球唯一能夠提供此類設(shè)備的供應商，單臺價格高達5000億韓元。該設(shè)備通過增大透鏡和反射鏡尺寸，將數(shù)值孔徑(NA)從0.33提升至0.55，顯著提高了光刻精度，是2納米及以下制程的必備工具。

　　與現(xiàn)有EUV設(shè)備相比，High NA EUV能夠?qū)崿F(xiàn)更窄的電路線寬，從而降低功耗并提升數(shù)據(jù)處理速度。三星自去年起已開始評估該設(shè)備的工藝應用，計劃在完成設(shè)備安裝后，全面構(gòu)建2納米工藝生態(tài)系統(tǒng)。三星晶圓代工業(yè)務部負責人韓鎮(zhèn)萬強調(diào)，盡管公司在環(huán)繞柵極(GAA)工藝轉(zhuǎn)換上領(lǐng)先，但在商業(yè)化方面仍需加速，2納米工藝的快速量產(chǎn)是其首要任務。

　　全球半導體巨頭紛紛加速引入High-NA EUV設(shè)備，英特爾在2023年率先采購了ASML的首臺High-NA EUV設(shè)備，并已簽訂合同購買總計6臺。英特爾的前兩臺High-NA EUV設(shè)備已投入生產(chǎn)，每季度可處理3萬片晶圓。