鎵仁半導(dǎo)體發(fā)布全球首顆第四代半導(dǎo)體氧化鎵 8 英寸單晶

　　3 月 6 日消息，杭州鎵仁半導(dǎo)體 Garen Semi 昨日宣布推出全球首顆第四代半導(dǎo)體氧化鎵 8 英寸，該公司也成為國際上首家掌握 8 英寸氧化鎵單晶生長技術(shù)的企業(yè)。

　　鎵仁半導(dǎo)體此前于 2022、2023、2024 年分別生長得到了 2 英寸、4 英寸、6 英寸的氧化鎵單晶，此次的 8 英寸單晶具有更優(yōu)秀的晶圓面積利用率，同時與現(xiàn)有硅基晶圓廠的 8 英寸產(chǎn)線兼容，將加速氧化鎵產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的步伐。

　　IT之家獲悉，氧化鎵 —— 準(zhǔn)確地說是 β-Ga2O3 —— 具有較碳化硅、氮化鎵更寬的 4.85eV 禁帶，還具備優(yōu)秀的熱和化學(xué)穩(wěn)定性和更高的擊穿電場強度，是第四代半導(dǎo)體中的明星材料。

　　基于氧化鎵的功率器件可提供更小的電阻和更高的轉(zhuǎn)換效率，有望將新能源汽車平臺電壓推向 1200V;同時氧化鎵材料擁有 260nm 的紫外截止邊，紫外波段的透過率受載流子濃度影響小，適宜制造深紫外波段光電器件。