SK海力士CEO：未來十年將研發(fā)10nm以下工藝DRAM和600層NAND

　　3月25消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，SK海力士是全球重要的存儲(chǔ)芯片制造商，他們?cè)谌ツ?0月份同英特爾達(dá)成了協(xié)議，將以90億美元收購英特爾大部分的NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)，收購之后就將超過日本的Kioxia，成為僅次于三星的全球第二大NAND閃存制造商，并會(huì)縮小與三星的差距。

　　除了通過收購擴(kuò)大規(guī)模、獲得知識(shí)產(chǎn)權(quán)及研發(fā)人員，SK海力士也在致力于研發(fā)更先進(jìn)的DRAM和NAND產(chǎn)品。

　　韓國媒體的報(bào)道顯示，在2021年IEEE(電氣電子工程師學(xué)會(huì))國際可靠性物理研討會(huì)上發(fā)表演講時(shí)，SK海力士CEO李錫熙(Lee Seok-Hee)就表示，在未來十年，他們將致力于克服材料、結(jié)構(gòu)和可靠性方面的挑戰(zhàn)，開發(fā)10nm以下工藝的DRAM和600堆疊層的NAND。

　　在報(bào)道中，韓國媒體表示，研發(fā)10nm以下工藝的DRAM，要求SK海力士等半導(dǎo)體廠商，克服光刻技術(shù)方面的挑戰(zhàn)。

　　在NAND方面，SK海力士已經(jīng)研發(fā)出了176層堆疊的3D NAND。