信息爆炸時代,什么增長最快?幾何級數(shù)增長的海量數(shù)據(jù)當(dāng)仁不讓,也帶動著相關(guān)存儲容量的持續(xù)增長。
IDC 稱,2020年,全世界創(chuàng)建或復(fù)制了約64ZB數(shù)據(jù);未來五年所新生產(chǎn)的數(shù)據(jù)量,將是數(shù)字技術(shù)誕生以來,所有數(shù)據(jù)量的兩倍多。高效、低成本的數(shù)據(jù)存儲方式非常重要。得益于智能移動終端普及和PC小型化趨勢,非易失性(NVM)存儲產(chǎn)品在個人消費端市場占比快速提升,其容量需求在云存儲等技術(shù)的平抑下,增長并不顯著。而在企業(yè)及存儲方面,面對持續(xù)快速增長的數(shù)據(jù)存儲需求,哪怕到2025年,機械硬盤(HDD)仍將負責(zé)存儲82%的數(shù)據(jù),HDD產(chǎn)品的復(fù)合增長率也將高達25%。對于 HDD 技術(shù)的投資,仍是不斷滿足全球數(shù)據(jù)增長需求的關(guān)鍵。
市場需求旺盛,是推動HDD單盤容量不斷增長的外因,而其內(nèi)在原動力,則是來在原廠技術(shù)升級。如今,HDD封裝的碟片數(shù)量已經(jīng)達到9張,繼續(xù)增加困難重重,如此一來提升單碟容量提升,更具體的是提高磁道密度是直接可行的方式。
西部數(shù)據(jù)新近公布的OptiNAND技術(shù),是其HDD技術(shù)與閃存技術(shù)的集大成者,將此前已經(jīng)在HDD上得以應(yīng)用的HelioSeal(氦氣封裝)技術(shù)、三階尋軌定位系統(tǒng)(Triple Stage Actuator,TSA)、ePMR(能量輔助垂直磁記錄)等技術(shù),與上百層堆疊的3D TLC、嵌入式閃存等閃存技術(shù)縱向集成在一起,在不改變現(xiàn)有物理、電氣及存儲架構(gòu)基礎(chǔ)上,推出的全新HDD產(chǎn)品。
西部數(shù)據(jù)公司HDD業(yè)務(wù)部首席技術(shù)官車曉東博士透露,西部數(shù)據(jù)已經(jīng)開始向部分用戶提供采用ePMR OptiNAND技術(shù)的20TB HDD產(chǎn)品,而采用這兩項技術(shù)的HDD有望在未來5年達到50TB單碟容量,大大延長了PMR技術(shù)的生命周期,能夠與SMR(疊瓦式)技術(shù)的產(chǎn)品形成更好的性能與容量差異化。
西部數(shù)據(jù)公司HDD業(yè)務(wù)部首席技術(shù)官車曉東博士
將NAND存儲介質(zhì)與機械硬盤相結(jié)合,同時獲得SSD的速度與HDD的容量,SSHD產(chǎn)品是這一技術(shù)方向的早期嘗試。這樣新型的存儲架構(gòu),對操作系統(tǒng)的運作是非常大的挑戰(zhàn),數(shù)據(jù)如何在兩種存儲介質(zhì)之間“搬運”,又向誰發(fā)出、發(fā)出什么樣的讀寫指令,依賴第三方驅(qū)動程序與新款OS配合的模式,嚴(yán)重影像了HDD產(chǎn)品的兼容性。
OptiNAND的運作機制則完全不同,首先是它不存儲“數(shù)據(jù)”。嚴(yán)格意義上來說,OptiNAND的嵌入式閃存iNAND不是數(shù)據(jù)存儲裝置,不存儲任何用戶數(shù)據(jù)。它存儲的是硬盤操作的所謂元數(shù)據(jù),是介質(zhì)、操作、信號、數(shù)據(jù)甚至更多元素的混合體。
隨著硬盤容量的不斷增加,一方面邏輯扇區(qū)的數(shù)量線性增加,另一方面TPI(磁軌密度)與BPI(位線密度)增長實現(xiàn)了單碟容量增加,物理扇區(qū)尋址及讀寫穩(wěn)定所依賴的數(shù)據(jù)量幾何級數(shù)增長,傳統(tǒng)HDD中Firmware(固件)所能存儲的信息非常有限,相關(guān)數(shù)據(jù)早已轉(zhuǎn)向存儲于磁介質(zhì)的特殊區(qū)域(類似于0磁道),操作延遲和性能水平可想而知。
例如可重復(fù)偏轉(zhuǎn)(RRO),是位置誤差信號中隨著主軸旋轉(zhuǎn)會重復(fù)出現(xiàn)的部分。RRO元數(shù)據(jù)在工廠的制造過程中產(chǎn)生,傳統(tǒng)HDD將這些數(shù)據(jù)存儲在碟片上,而OptiNAND技術(shù)則將它們存儲在iNAND中,從而為用戶釋放磁盤空間并實現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)訪問速度。
而昂貴的DRAM,為數(shù)據(jù)提供緩沖(Buffer)都還不夠,哪有閑心存儲這些元數(shù)據(jù);同時,DRAM斷電即丟失的易失性,也不能用來存儲元數(shù)據(jù)。
在OptiNAND架構(gòu)中,iNAND(嵌入式閃存盤,EFD)很好地平衡了容量/成本與非易失性之間的矛盾,轉(zhuǎn)向存儲于閃存介質(zhì)上后,讀寫性能、延遲、容量都不再是問題。更理想的是,這樣還帶來了更好的OS透明特性,外部數(shù)據(jù)讀寫需求,無關(guān)硬盤內(nèi)部運作方式,從OS到應(yīng)用軟件,均無需調(diào)整HDD運行機制,甚至連驅(qū)動程序都不用額外加載。
OptiNAND的架構(gòu),不禁讓我們聯(lián)想到多年前的Hybrid Drive及OneNAND(NV Cache)設(shè)想:DRAM做數(shù)據(jù)傳沖,NAND做操作緩沖,高可靠性、長壽命甚至低功耗也是其主要特性。OptiNAND還提供了SLC(重寫負載)與TLC(重讀負載)的混合架構(gòu),可分別存儲不同類型數(shù)據(jù),并保持DRAM運作機制不變。技術(shù)領(lǐng)域殊途同歸,如今相關(guān)產(chǎn)品還不見身影,而西部數(shù)據(jù)的OptiNAND產(chǎn)品已箭在弦上。
除了取代碟片上的專門區(qū)域,成為元數(shù)據(jù)的存儲介質(zhì),OptiNAND的加入還帶來了諸多“意想不到”的技能二次加成:
iNAND的加入,在一定程度上簡化了磁盤控制SoC的復(fù)雜度,數(shù)據(jù)與元數(shù)據(jù)分別置于碟片與NAND中,無需復(fù)雜的混合控制邏輯,SoC也能更專心地提升性能和優(yōu)化控制;
加電后,NAND數(shù)據(jù)加載速度遠高于HDD加速再讀取相關(guān)信息,大幅減小了硬盤延遲;
NAND容量遠高于DRAM,且具有非易失性,在緊急斷電(EPO)情況下,元數(shù)據(jù)寫回的時長更短,或可寫回量更大,初期可保留的用戶數(shù)據(jù)增加了近50倍;
更大容量的元數(shù)據(jù)可包括更高的磁數(shù)據(jù)記錄的位置與精度信息,如三階尋軌定位系統(tǒng)(Triple Stage Actuator,TSA)的三個Actuator獨立控制信息,甚至可針對不同扇區(qū)的物理位置、磁頭飛行高度、磁介質(zhì)性能,逐一保存磁頭讀寫信號強度;
更高精度的定位及讀寫控制,又進一步推進存儲密度提升與介質(zhì)層面的性能提升;
通過優(yōu)化固件縮短時延,主要在減少相鄰磁道干擾(ATI)刷新次數(shù),并減少寫緩存啟用模式下對寫緩存刷寫的需求。
OptiNAND技術(shù)的出現(xiàn),在很大程度上改變了HDD產(chǎn)品的容量/時間發(fā)展趨勢,另外,在EAMR(能量輔助存儲,如HAMR熱輔助、MAMR磁輔助存儲)技術(shù)成熟前,保持HDD容量及性能持續(xù)增長。某種意義上說,使HDD拉開了與SSD的容量差異、縮小了性能差異,用更好的容量性能比、容量價格比,持續(xù)滿足不斷增長的數(shù)據(jù)存儲需求。
西部數(shù)據(jù)公司副總裁兼中國區(qū)業(yè)務(wù)總經(jīng)理劉鋼
西部數(shù)據(jù)公司副總裁兼中國區(qū)業(yè)務(wù)總經(jīng)理劉鋼在最后也補充道:“OptiNAND技術(shù)未來將全面覆蓋西部數(shù)據(jù)主流的大容量HDD,凡是使用大容量HDD的客戶,包括云服務(wù)商、OEM廠商、企業(yè)級用戶等,都將進一步受益于搭載了OptiNAND技術(shù)HDD的大容量、高性能和高可靠性。”
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