三星提升QLC閃存性能 寫入速度增加

　　閃存技術(shù)在近年來得到了迅速的發(fā)展，在閃存顆粒方面也經(jīng)歷了SLC、MLC、TLC、QLC等技術(shù)的更迭，如今廉價、大容量的SSD幾乎都要上QLC閃存了，但由于QLC閃存性能差是先天性的，如果用光了緩存容量空間，QLC閃存真實(shí)寫入速度甚至只有100MB/s出頭。

　　三星方面表示未來會重點(diǎn)關(guān)注QLC閃存的性能，目前他們使用的QLC閃存主要還是96層堆棧的V5 QLC，明年會跳過V6 QLC，直接進(jìn)入176層的V6 QLC閃存時代。而這也會帶來閃存性能的提升，相比V4 QLC閃存而言，寫入速度為2.7倍、讀取速度為2.6倍，相比現(xiàn)在的V5 QLC大概能提升一倍，意味著寫入性能可提升到320MB/s。

　　不考慮緩存加速，320MB/s的原始寫入性能已經(jīng)相當(dāng)可觀了，足以讓SSD性能重新超過HDD硬盤，并且跟TLC閃存一較高下，相關(guān)產(chǎn)品預(yù)計在明年上市。

　　對大多數(shù)玩家來說，這都是一個利好消息，拿三星自己的產(chǎn)品舉例采用TLC顆粒的三星870 EVO，1TB 版本的價格與采用QLC顆粒的三星870 QVO價格相差了300元，2TB版本相差了400元，4TB版本更是相差了700元，而在讀寫速度方面兩者基本相同，對于購買預(yù)算不高的用戶，870 QVO顯然更具有性價比，相信隨著QLC閃存性能的提高，采用QLC顆粒的閃存產(chǎn)品性價比會進(jìn)一步提升。