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    2021年度原廠顆粒固態(tài)硬盤深度測試總結(jié)

    2022年04月06日 17:25:29   來源:搜狐

      聲明:本次測試源自B站UP主小飛機DIY,結(jié)果僅供參考,最終解釋權(quán)歸原廠品牌所有!

      測試時間:2021年10月24日0時起——2022年1月10日止

      測試型號:金士頓KC2500(非原廠顆粒用于測試對比)、英睿達(dá)P5、鎧俠RD20、西數(shù)SN750、致鈦PC005 Active、三星970EVO PLUS

      測試容量:1TB

      測試模式:黑盒測試+白盒測試

      樣本來源:某東自營隨機性自購

      測試項目:廠商宣傳PE數(shù)、冷數(shù)據(jù)、IO負(fù)載測試、循環(huán)通斷電測試

      測試共消耗硬盤:18塊

      測試時主要涉及的工具/硬件:urwtest(用于讀寫校驗測試)、Anvil Storage(用于模擬用戶日常使用測試)、Oracle11G(用于模擬IO測試)、Pentaho Kettle(IO測試中間件)、加熱臺(模擬冷數(shù)據(jù)測試)、電磁繼電器(用于模擬通斷電)、18650電池、可調(diào)電源、USB線若干、JMS583方案硬盤盒、M.2 NVME轉(zhuǎn)PCI-E硬盤轉(zhuǎn)接卡等

      測試環(huán)境:華碩Z9PAU8(X79芯片組)+Xeon E5 2650L v2(10C/20T)+三星32G DDR3 REG

      系統(tǒng):Windows 10 工作站版(20H2)

      測試目的:

      1.驗證原廠顆粒硬盤顆粒壽命是否可達(dá)原廠宣傳標(biāo)準(zhǔn)(主要)

      2.驗證硬盤上長期未使用的文件固件算法對該數(shù)據(jù)讀取速度的影響(冷數(shù)據(jù))

      3.驗證硬盤在高負(fù)載情況下表現(xiàn)(IO測試——附加項目)

      4.驗證在保期間硬盤是否會因斷電導(dǎo)致?lián)p壞(循環(huán)通斷電測試)

      PS:為保證測試變量一致性,每次測試都是在同一臺機器上同時進(jìn)行的

      先上一張官方宣傳頁的壽命

      廢話不多說,先直接看結(jié)果(建議綜合一起看)

      壽命整體測試結(jié)果:

      冷數(shù)據(jù)測試結(jié)果:

      測試參考閃存通的SSD老化對照表

      計算方式使用閃存通的老化計算器

      先上未老化前的測試結(jié)果做為對比

      由于全部硬盤質(zhì)保期為5年,因此直接測試5年老化情況

      老化數(shù)據(jù)參考小程序閃存通

      模擬溫度:35度

      老化溫度:150度

      分別測試半年、一年、兩年、三年、四年、五年

      1年模擬后英睿達(dá)P5及金士頓KC2500在老化測試中掉速最嚴(yán)重

      英睿達(dá)P5在模擬第二年的時候因數(shù)據(jù)校驗不通過而退出測試

      四年模擬時金士頓因不識別而退出測試

      5年模擬測試三星、致鈦、西數(shù)、鎧俠存活成功

      IO測試(子項目)

      此處采用Oracle11G數(shù)據(jù)庫+Kettle寫入對比基準(zhǔn)線1000W數(shù)據(jù)進(jìn)行測試

      用于計算IO消耗時間

      Oracle表空間分別置于每個盤的根目錄內(nèi)

      默認(rèn)分配存儲塊200M,自動增長、自動擴展表空間開啟

      Oracle主程序安裝于C盤

      安裝Oracle 11G途中

      用于寫入數(shù)據(jù)的中間件 Kettle

      英睿達(dá)因為在高IO寫入的情況下發(fā)生了掉盤情況,因此IO測試不包含英睿達(dá)P5

      空盤狀態(tài)下各盤寫入耗時均為37分鐘寫入1000W測試數(shù)據(jù)(英睿達(dá)除外)

      1~3年模擬情況

      金士頓KC2500經(jīng)老化測試后耗時暴增,第三年已完全無法測試IO狀況

      西數(shù)及鎧俠在第二年后開始出現(xiàn)較為明顯的變化幅度,三星及致鈦變化不明顯

      4~5年模擬情況

      5年測試下來,西數(shù)和鎧俠IO縮水基本在20%左右

      三星和致鈦與原始數(shù)據(jù)相比IO縮水控制在10%左右

      測試視頻:

      https://www.bilibili.com/video/BV1uF41187QW/

      循環(huán)通斷電測試(僅供參考):

      計算方式:假設(shè)用戶在質(zhì)保每天電腦開關(guān)機次數(shù)2-3次,一年約為1000次,5年下來預(yù)計在6000次左右

      自制簡易型電磁繼電器用于測試自動通斷電

      測試過程中:

      1000次通斷電測試,全部存活

      值得注意的是僅鎧俠掉了1%的健康度

      5年模擬通斷電測試

      1.英睿達(dá)直接直接掉盤

      2.金士頓因數(shù)據(jù)編譯器損壞導(dǎo)致數(shù)據(jù)無法被讀取

      3.鎧俠健康掉了15%(看起來鎧俠的健康度還與通斷電次數(shù)掛鉤)

      三星、鎧俠、西數(shù)、致鈦成功通過5年6000次通斷電模擬測試,數(shù)據(jù)校驗無異常

      測試視頻:

      https://www.bilibili.com/video/BV1pL4y147cH/

      點評(僅個人觀點)

      鎧俠RD20

      優(yōu)點:速度較快、價格適中

      缺點:壽命消耗快,冷數(shù)據(jù)方面稍差

      西數(shù)SN750

      優(yōu)點:速度快、IO高、壽命官方符合描述

      缺點:冷數(shù)據(jù)問題雖然有所緩解,但仍然存在、價格較高、SN550在21年被爆換顆粒門,目前SN750是否會換顆粒,待進(jìn)一步確認(rèn)

      三星970EVO PLUS

      優(yōu)點:速度快、IO高、壽命符合官方描述

      缺點:溫度較高、我的測試過程中炸了一個、售價最高

      致鈦PC005 Active

      優(yōu)點:IO高、售價適中、冷數(shù)據(jù)存儲較出色、顆粒壽命符合官方描述甚至有些超預(yù)期

      缺點:大文件持續(xù)寫入速度稍低

      金士頓KC2500

      僅作非原廠顆粒的對比參考,顆;煊脟(yán)重,不具備代表性。

      我買的三條中2條采用閃迪顆粒,1條采用東芝顆粒,均為BICS4制程。聽說還有買到鎂光顆粒的(我暫時沒抽到)。

      英睿達(dá)P5,全部測試過中陣亡,可能是我臉黑

      因此,無法評論

      因英特爾閃存業(yè)務(wù)被海力士收購,近期無新產(chǎn)品因此英特爾不在測試范圍

      因海力士固態(tài)大多數(shù)應(yīng)用于OEM領(lǐng)域,暫時未發(fā)現(xiàn)零售系列渠道,因此不在測試范圍

      參考資料:

      ONFI:http://www.onfi.org/

      JEDEC:https://www.jedec.org/

      Mircon:https://www.micron.com/

      維基百科:https://zh.wikipedia.org/

      知乎:https://www.zhihu.com/

      學(xué)術(shù):

      https://scholar.google.com

      文章內(nèi)容僅供閱讀,不構(gòu)成投資建議,請謹(jǐn)慎對待。投資者據(jù)此操作,風(fēng)險自擔(dān)。

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