IC Insights：三星、SK 海力士、美光占據(jù) 2021 年 DRAM 市場(chǎng)份額 94%

　　5 月 24 日，IC Insights 根據(jù)《麥克林報(bào)告》摘編稱(chēng)，在過(guò)去 30 年中，DRAM 市場(chǎng)的特點(diǎn)是經(jīng)歷了驚人的增長(zhǎng)時(shí)期和毀滅性的崩潰年份。近年來(lái)，DRAM 市場(chǎng)在 2019 年下跌 37%，但在 2021 年飆升 42%。無(wú)論是什么原因，“繁榮、蕭條”的周期使主要的 DRAM 供應(yīng)商的數(shù)量從 1990 年代中期的 20 家降至現(xiàn)在的 6 家。2021 年，三家最大的供應(yīng)商三星、SK 海力士和美光總共占有 94% 的 DRAM 市場(chǎng)份額�？偛吭O(shè)在韓國(guó)的三星和 SK 海力士去年占了全球 DRAM 銷(xiāo)售的 71.3%。

　　報(bào)告稱(chēng)，憑借 44% 的市場(chǎng)份額，三星在 2021 年仍然是全球最大的 DRAM 供應(yīng)商，銷(xiāo)售額達(dá)到近 419 億美元。去年，三星在多個(gè)方面推進(jìn)其 DRAM 業(yè)務(wù)，包括在 2020 年 3 月率先使用極紫外(EUV)光刻技術(shù)后，于 2021 年 10 月開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)基于 EUV 的 14nm DRAM。在此過(guò)程中，三星將其最先進(jìn)的 14nm DDR5 上的 EUV 層數(shù)從兩層增加到了五層 DRAM 工藝。

　　2021 年 11 月，三星表示，其已經(jīng)應(yīng)用 EUV 技術(shù)開(kāi)發(fā)了 14nm 16Gb 低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率 5X (LPDDR5X) DRAM，專(zhuān)門(mén)用于 5G、人工智能 (AI)、機(jī)器學(xué)習(xí) (ML) 和其他大數(shù)據(jù)終端應(yīng)用等高速率應(yīng)用。該公司聲稱(chēng)，LPDDR5X DRAM 的數(shù)據(jù)處理速度最高可達(dá) 8.5Gbps (比現(xiàn)有的 6.4Gbps LPDDR5 器件快 1.3 倍)，比 LPDDR5 內(nèi)存節(jié)省約 20% 的功耗。此外，該公司還發(fā)布了其首個(gè)支持新型計(jì)算快速鏈接 (Compute Express Link,CXL) 互連標(biāo)準(zhǔn)的 DRAM 內(nèi)存模塊，并發(fā)布了專(zhuān)為自主電動(dòng)汽車(chē)和高性能信息娛樂(lè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的 2GB GDDR6 和 2GB DDR4 汽車(chē) DRAM。

　　SK 海力士在 2021 年 DRAM 市場(chǎng)占有率為 28%，排在第二位，銷(xiāo)售額為 266 億美元，增長(zhǎng) 39%。DRAM 占該公司 2021 年半導(dǎo)體總銷(xiāo)售額的約 71%，具體市場(chǎng)表現(xiàn)分別為：服務(wù)器 DRAM 占 40%;移動(dòng) DRAM 占 35%;PC DRAM 占 15%;消費(fèi)類(lèi)和顯卡 DRAM 各占 5%。2021 年，SK 海力士發(fā)布了據(jù)稱(chēng)是業(yè)界最高性能的 DDR5 DRAM，其數(shù)據(jù)速度能夠每秒傳輸 163 部全高清電影。該芯片被稱(chēng)為 HBM3，因?yàn)樗�是海力士的第三代高帶寬�?nèi)存。與三星一樣，SK 海力士也開(kāi)始在以第 4 代 10nm 制程 (1a nm) 為基礎(chǔ)的 8Gb LPDDR4 DRAM 的批量生產(chǎn)中使用 EUV 光刻技術(shù)。

　　此外，美光在 2021 年是第三大 DRAM 供應(yīng)商，DRAM 銷(xiāo)售額增長(zhǎng) 41% 至 219 億美元，占全球市場(chǎng)份額的 23%。整體而言，DRAM 占美光全年 IC 總銷(xiāo)售額 300 億美元的 73% 左右。2021 年，美光推出了 1a nm 內(nèi)存節(jié)點(diǎn)。該節(jié)點(diǎn)由新的 CPU 平臺(tái)驅(qū)動(dòng)，設(shè)計(jì)部分是為了支持?jǐn)?shù)據(jù)中心向 DDR5 DRAM 的過(guò)渡，預(yù)計(jì)將在今年晚些時(shí)候開(kāi)始發(fā)展，并在 2023 年獲得增長(zhǎng)勢(shì)頭。美光的 1a nm DRAM 也被應(yīng)用于低功率通信應(yīng)用，包括 5G 智能手機(jī)。盡管該工藝不需要 EUV 光刻技術(shù)，但美光已經(jīng)訂購(gòu)了 EUV 設(shè)備，并計(jì)劃從 2024 年開(kāi)始使用其 1 伽馬 (1 gamma) 納米節(jié)點(diǎn)過(guò)渡到 EUV 技術(shù)來(lái)生產(chǎn) DRAM。