搶先臺(tái)積電，消息稱三星電子將于 6 月 30 日開始量產(chǎn) 3 納米芯片

　　6 月 29 日消息，據(jù) BusinessKorea 報(bào)道，三星電子將于 6 月 30 日開始批量生產(chǎn)基于全環(huán)繞柵極(GAA)技術(shù)的 3 納米半導(dǎo)體。

　　報(bào)道稱，三星電子將于 6 月 30 日正式宣布大規(guī)模生產(chǎn)基于 GAA 的 3 納米半導(dǎo)體。GAA 晶體管結(jié)構(gòu)優(yōu)于目前的 FinFET 結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗�可以減少芯片尺寸和功耗。

　　如果消息屬實(shí)的話，那么三星電子將搶先臺(tái)積電和英特爾量產(chǎn) 3 納米芯片，后兩家公司分別計(jì)劃在今年下半年和明年下半年開始大規(guī)模生產(chǎn) 3 納米芯片。

　　今年早些時(shí)候，一些行業(yè)觀察家提出擔(dān)心，由于產(chǎn)量低的問(wèn)題，三星電子可能推遲 3 納米半導(dǎo)體的大規(guī)模生產(chǎn)。然而，這些擔(dān)憂被證明是毫無(wú)根據(jù)的。

　　在競(jìng)爭(zhēng)激烈的 3nm 制程工藝方面，三星電子和臺(tái)積電的技術(shù)路線并不相同，三星電子率先采用全環(huán)繞柵極(GAA)晶體管，臺(tái)積電則是繼續(xù)采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)架構(gòu)。三星電子此前曾表示，采用全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)的 3nm 制程工藝，同當(dāng)前的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管架構(gòu)相比，性能將提升 30%，能耗降低 50%，邏輯面積效率提升超過(guò) 45%。