SK海力士TLC閃存堆疊超300層：寫(xiě)速狂飆194MB/s

　　閃存芯片的進(jìn)化方向非常明確，那就是通過(guò)更多層地堆疊來(lái)實(shí)現(xiàn)更快的讀寫(xiě)速度，同時(shí)提高單位面積的存儲(chǔ)容量，降低存儲(chǔ)成本。

　　在ISSCC 2023期間，35名SK海力士工程師聯(lián)名提交了論文，詳細(xì)闡述了他們是如何攻克300+堆疊的難關(guān)。

　　通過(guò)運(yùn)用TPGM(三重驗(yàn)證編程)、AUSP(自適應(yīng)未選串預(yù)給電)、PDS(被編程假字符串)、APR以及PLRR(平面級(jí)讀取重試)等五項(xiàng)技術(shù)，他們實(shí)現(xiàn)了超過(guò)300層的TLC顆粒堆疊。

　　這顆1Tb容量的TLC 3D閃存(3bit/Cell)達(dá)到了驚人的20Gb/mm2容量密度，寫(xiě)入速度更是狂飆到194MB/s創(chuàng)紀(jì)錄。

　　按計(jì)劃，SK海力士的300+層TLC將在2024年量產(chǎn)商用。