近日,有媒體稱市場傳出臺積電為應(yīng)對成本上漲,計劃在下半年調(diào)整晶圓代工報價。這也是在半導(dǎo)體寒冬之后,晶圓代工費用再次上漲,不過針對此消息,臺積電并沒有發(fā)表說法。
作為代工行業(yè)的佼佼者,臺積電代工技術(shù)一直遙遙領(lǐng)先,雖然三星一直是臺積電在芯片行業(yè)的對手,但是在7納米、5納米以及4納米工藝中,臺積電都全面碾壓三星電子,而且由于三星在5納米、4納米以及3納米GAA代工良品率過低,導(dǎo)致不少合作伙伴都倒向臺積電,其中最典型的就是高通和英偉達。
在5納米工藝時,采用三星5納米工藝制程打造的驍龍8翻了車,迫使高通不得不將之后的訂單悉數(shù)交給臺積電,而由臺積電代工的驍龍8+在性能功耗等各個方面都遠超三星5n納米工藝的驍龍8。這主要是因為三星的5納米工藝對比臺積電的5納米工藝在晶體管密度這塊就相差了35%。
足以看出三星代工方面問題的嚴(yán)重,在可靠性方面,臺積電還是有著不小的技術(shù)優(yōu)勢。即使是在3納米工藝上,三星宣布全球
目前蘋果、英特爾、高通、聯(lián)發(fā)科和英特爾已經(jīng)提前預(yù)訂了臺積電23年和24年的產(chǎn)能,即使是芯片行業(yè)日益蕭條的眼下,臺積電的代工業(yè)務(wù)依然如火如荼,這就是技術(shù)領(lǐng)先帶來的優(yōu)勢。在此基礎(chǔ)上,臺積電的代工費用也屢創(chuàng)新高,3納米12英寸晶圓更是突破2萬美元的高價。這是一個什么概念呢,一塊12英寸的晶圓面積大約是70659平方毫米,而一塊3納米的芯片面積大概是70平方毫米。在臺積電良品率100%且完全沒有邊角料浪費的前提下,也只能切割出1000顆芯片。
更何況這完全是不可能的事情,良品率達到90%就已經(jīng)非常高了,況且有傳聞稱三星在3納米工藝中的良品率僅為20%。那么假設(shè)臺積電2萬美元的代工費可以切割出七八百顆芯片,每顆芯片的代工費費用就高達近200元人民幣,這還僅僅只是代工費,還沒算后期研發(fā)、流片、封裝等一系列費用。
如此一來,3nm工藝芯片的成本價就將高達千元以上,而這部分成本最后勢必會轉(zhuǎn)嫁到用戶身上;乜磁_積電這么多年以來的代工費用,2004年90納米芯片的代工費僅為2000美元,2016年的10納米就已經(jīng)飆升至6000美元,而7納米時代更是直接破萬美元,5納米就已經(jīng)高達16000美元。
要是在此基礎(chǔ)上繼續(xù)漲價,難免會引起手機行業(yè)的價格震動。不過業(yè)內(nèi)人士在聽到這一消息后卻表示,這一消息或為誤傳。因為臺積電的策略不會任意漲價,加上目前正值半導(dǎo)體庫存調(diào)整關(guān)鍵期,臺積電應(yīng)會與客戶共體時艱,讓客戶先完成庫存去化,以利于產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)發(fā)展。去年中旬臺積電和IC設(shè)計客戶研討商議今年價格時,已將通貨膨脹與海內(nèi)外擴產(chǎn)成本上漲等因素納入考慮,并于2023年初調(diào)漲各制程報價,平均漲幅約3%起。
并且在成本方面,供應(yīng)鏈則認為,臺積電在美國建廠屬于項目投資,相關(guān)費用在臺積電每年穩(wěn)定現(xiàn)金流支撐下屬于?顚S,若建廠成本上升,臺積電更可能會轉(zhuǎn)頭管理供應(yīng)鏈,向下砍價,而非對客戶調(diào)整價格。不過即使如此,目前3nm工藝制程的代工費比起之前也已水漲船高,隨著高端智能手機價格一路飆升,后續(xù)手機漲價或也難以避免了。
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