英特爾展示PowerVia技術 吸引更多代工客戶

　　英特爾名為PowerVia的背面供電網(wǎng)絡(PDN)有望成為英特爾即將推出的18A和20A制程工藝的主要優(yōu)勢之一。為了了解如何實施它并向有興趣使用英特爾代工服務的各方展示其優(yōu)勢，該公司使用Intel 4制程生產的測試芯片中實踐了這一技術，并在VLSI 2023大會上進行了展示。

　　背面PDN旨在通過將電源軌重新定位到芯片背面來分離I/O和電源布線，這有助于解決諸如線路后端(BEOL)中過孔電阻增加等問題。這樣的設計增強了晶體管性能并降低了功耗，同時還消除了數(shù)據(jù)和電源連接之間的潛在干擾。此外，去耦PDN和數(shù)據(jù)線有助于減少面積，與現(xiàn)有生產節(jié)點相比，將帶來更高的晶體管密度。英特爾的背面供電實驗芯片基于未命名的節(jié)能“E核”，并在英特爾4工藝技術上實現(xiàn)。

　　英特爾表示，英特爾的PowerVia在核心的大部分區(qū)域實現(xiàn)了超過90%的標準單元利用率，同時還提供了超過5%的時鐘速度提升，因為減少了紅外壓降。英特爾準備展示的一張圖片似乎證明了這一點，盡管無法評估類似內核在實際工作負載中的表現(xiàn)。根據(jù)英特爾的展示，下一代18A和20A工藝技術在2024年至2025年的時間框架內預計將比依賴傳統(tǒng)電力傳輸設計的競爭生產節(jié)點具有一定的優(yōu)勢。