東芝推出采用超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)的600V N溝道功率MOSFET

　　6月14日消息，東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布，推出采用最新一代工藝制造的"TK055U60Z1"，進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品線。該器件采用超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)，耐壓600V，適用于數(shù)據(jù)中心、開關(guān)電源和光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品，已經(jīng)開始批量出貨。

　　通過對(duì)柵極設(shè)計(jì)和工藝進(jìn)行優(yōu)化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產(chǎn)品相比，600V DTMOSVI系列產(chǎn)品的單位面積漏源導(dǎo)通電阻降低了約13%，漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷(MOSFET性能的品質(zhì)因數(shù))降低了約52%。這有助于確保該系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗的雙重降低，并最終實(shí)現(xiàn)了開關(guān)電源效率的提高。

　　該新產(chǎn)品采用TOLL封裝，柵極驅(qū)動(dòng)采用開爾文連接。可以通過降低封裝中源極線電感的影響，增強(qiáng)MOSFET的高速開關(guān)性能，從而抑制開關(guān)過程中的振蕩。

　　未來，東芝將繼續(xù)擴(kuò)展600V DTMOSVI系列產(chǎn)品線，以及已發(fā)布的650V DTMOSVI系列產(chǎn)品，并通過降低開關(guān)電源的功率損耗來達(dá)到節(jié)約節(jié)能的目的。