長電科技加速擴充中大功率器件成品制造產(chǎn)能，面向第三代半導(dǎo)體市場解決方案營收有望大幅增長

　　新能源汽車和光伏,儲能設(shè)施在全球加速普及,為第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)的落地提供了前所未有的契機。長電科技厚積薄發(fā)定位創(chuàng)新前沿,多年來面向第三代半導(dǎo)體功率器件開發(fā)完成的高密度成品制造解決方案進入產(chǎn)能擴充階段,預(yù)計2024年起相關(guān)產(chǎn)品營收規(guī)模翻番,將有利促進第三代半導(dǎo)體器件在全球應(yīng)用市場的快速上量。

　　碳化硅,氮化鎵產(chǎn)品相對于傳統(tǒng)的硅基功率器件具有更高的開關(guān)速度,支持高電流密度,耐受更高的溫度,低導(dǎo)通和開通損耗的同時,也伴隨著一些挑戰(zhàn),如寄生電感效應(yīng)、封裝寄生電阻、電磁干擾等。先進封裝技術(shù)在解決這些挑戰(zhàn)方面發(fā)揮了越來越為關(guān)鍵作用。

　　長電科技和全球領(lǐng)先客戶共同開發(fā)的高密度集成解決方案融合了多種封裝技術(shù),包括開爾文(Kelvin Source)結(jié)構(gòu)、倒裝(Flip Chip)技術(shù)等,成功減少了寄生電感的干擾。同時,通過采用Clip和Ribbon鍵合工藝降低了封裝的寄生電阻,從而提高了功率轉(zhuǎn)換效率。其次,封裝的散熱能力直接關(guān)乎功率器件的穩(wěn)定性和效率,長電科技解決方案通過頂部散熱結(jié)構(gòu)(TSC)等多種技術(shù)手段,極大降低了器件的熱阻,改善了熱傳導(dǎo)路徑,使封裝的散熱能力大幅提升,助力第三代半導(dǎo)體器件充分釋放材料性能潛力。

　　包括英諾賽科在內(nèi)的國內(nèi)外眾多領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品公司相繼發(fā)布了大規(guī)模晶圓擴產(chǎn)計劃,為長電科技的高密度中大功率器件成品制造解決方案提供了廣闊的應(yīng)用發(fā)展空間。根據(jù)市場分析機構(gòu)Yole預(yù)測,2021-2027年全球碳化硅功率器件市場保持超過30%的年復(fù)合增長,長電科技積極擴產(chǎn)相關(guān)產(chǎn)能滿足國內(nèi)外客戶的需求。

　　長電科技工業(yè)及智能應(yīng)用事業(yè)部總經(jīng)理金宇杰表示,“長電科技面向第三代半導(dǎo)體器件的高密度模組解決方案在開發(fā)和市場應(yīng)用上均取得了可喜的成果,我們期待相關(guān)業(yè)務(wù)的營收規(guī)模在未來幾年將獲得顯著增長。”

　　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品制造商英諾賽科表示:“長電科技一直是我們產(chǎn)品開發(fā)過程中的不可或缺的合作伙伴,雙方在不斷的創(chuàng)新和合作中激發(fā)靈感,共同推動第三代半導(dǎo)體技術(shù)的進步,共同為市場帶來更多創(chuàng)新產(chǎn)品。”