英特爾：首次采用 EUV 技術的 Intel 4 制程節(jié)點已大規(guī)模量產

　　" 英特爾中國 " 官方公眾號周五晚間宣布，英特爾已于近日開始采用極紫外光刻(EUV)技術大規(guī)模量產 Intel 4 制程節(jié)點。官方表示，英特爾正以強大執(zhí)行力推進 " 四年五個制程節(jié)點 " 計劃，并將用于新一代的領先產品。

　　據(jù)介紹，Intel 4 是英特爾首個采用 EUV 技術生產的制程節(jié)點，在性能、能效和晶體管密度等方面 " 均實現(xiàn)顯著提升 "，EUV 技術將驅動如 AI、先進移動網絡、自動駕駛及新型數(shù)據(jù)中心和云應用等算力需求最高的應用。

　　各制程進度具體如下：

　　Intel 7 和 Intel 4 已經實現(xiàn)大規(guī)模量產，Intel 3 正在按計劃推進，目標 2023 年底量產。

　　采用 RibbonFET 全環(huán)繞柵極晶體管和 PowerVia 背面供電技術的 Intel 20A 和 Intel 18A 同樣 " 進展順利 "，目標是 2024 年。

　　產品代號為 Meteor Lake 的英特爾酷睿 Ultra 處理器今年 12 月 14 日發(fā)布，采用 Intel 4 制程節(jié)點。

　　至強處理器 Sierra Forest 將于明年上半年上市，具備高能效的能效核(E-core)，采用 Intel 3 制程節(jié)點

　　至強處理器 Granite Rapids 同樣明年上半年上市，緊隨 Sierra Forest 之后推出，具備高性能的性能核(P-Core)。

　　IT 之家此前報道，英特爾曾在 9 月舉辦的 ON 技術創(chuàng)新峰會上介紹了 Intel 4 工藝。

　　英特爾表示，與 lntel 7 相比，Intel 4 實現(xiàn)了兩倍的面積微縮，帶來了高性能邏輯庫，并引入了多個創(chuàng)新：

　　簡化工藝的 EUV 光刻技術

　　lntel 4 針對高性能計算應用進行了優(yōu)化，可支持低電壓(

　　高密度 MIM(金屬 - 絕緣體 - 金屬)電容器實現(xiàn)卓越的供電性能