11 月 1 日消息,根據(jù) DigiTimes 報道,Samsung Foundry 副總裁 Jeong Gi-Tae 透露,三星即將推出 SF1.4(1.4 nm)工藝中,納米片(nanosheets)的數(shù)量從 3 個增加到 4 個,有望明顯改善性能和功耗。
三星正在尋求擴大其在 Gate-All-Around (GAA) 平臺方面的領先地位,在推出基于 GAA 的 SF3E 之后,計劃 2027 年上線 SF1.4(1.4nm)工藝,通過增加納米片數(shù)量進一步改善工藝。
每個晶體管增加納米片數(shù)量,可以增強驅動電流,從而提高性能,更多的納米片允許更多的電流流過晶體管,從而增強其開關能力和運行速度。
此外,更多的納米片可以更好地控制電流,這有助于減少漏電流,從而降低功耗。此外,改進的電流控制還意味著晶體管產生的熱量更少,從而提高了功率效率。
IT之家此前報道,三星還計劃在 1.4nm 工藝中采用背部供電(BSPDN)技術,旨在更好地挖掘晶圓背面空間的潛力,但至今仍未在全球范圍內實施。
雖然目前半導體行業(yè)已不再使用柵極長度和金屬半節(jié)距來為技術節(jié)點進行系統(tǒng)命名,但毫無疑問目前的工藝技術也是數(shù)字越小越先進。
隨著半導體工藝微縮路線不斷地向前發(fā)展,集成電路內電路與電路間的距離也不斷縮窄,從而對彼此產生干擾,而 BSPDN 技術則可以克服這一限制,這是因為我們可以利用晶圓背面來構建供電路線,以分隔電路和電源空間。
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