SK海力士明年啟動HBM4內(nèi)存研發(fā) HBM3E即將量產(chǎn)

　　在今年存儲市場整體低迷的情況下，不少廠商卻憑借人工智能計算的爆發(fā)機會，在計算卡以及服務器內(nèi)存領(lǐng)域大放異彩，其中SK海力士作為英偉達高帶寬存儲器合作伙伴，SK海力士延續(xù)了HBM市場的領(lǐng)導地位，在市場份額和營收方面都有著不錯的表現(xiàn)。近日SK海力士在介紹2024年存儲產(chǎn)品線的時候，已確認明年將啟動下一代HBM4的開發(fā)工作，為數(shù)據(jù)中心和人工智能產(chǎn)品提供動力。

　　SK海力士表示，HBM3E會在2024年進入批量生產(chǎn)，新內(nèi)存將提供更高的速度和容量，而啟動HBM4的開發(fā)工作標志著HBM產(chǎn)品的持續(xù)發(fā)展邁出了重要的一步。GSM團隊負責人Kim Wang-soo說：”隨著明年HBM3E計劃的大規(guī)模生產(chǎn)和銷售，我們的市場優(yōu)勢將再次得到最大限度的發(fā)揮。由于后續(xù)產(chǎn)品HBM4的開發(fā)工作也將如火如荼地展開，SK海力士的HBM明年將進入一個新階段。“

　　此前有報道稱，下一代HBM4設計會有重大的變化，內(nèi)存堆棧將采用2048位接口。自2015年以來，每個HBM堆棧采用的都是1024位接口，將位寬翻倍是HBM內(nèi)存技術(shù)推出后最大的變化。如果HBM4能保持現(xiàn)有的引腳速度，意味著帶寬將從現(xiàn)在HBM3E的1.15TB/s提升至2.3TB/s，提升會相當明顯。傳聞HBM4在堆棧的層數(shù)上也有所變化，除了首批的12層垂直堆疊，2027年還會帶來16層垂直堆疊。同時HBM還會往更為定制化的方向發(fā)展，不僅排列在SoC主芯片旁邊，部分還會轉(zhuǎn)向堆棧在SoC主芯片之上。