三星研究員悲觀看待EUV光刻技術(shù)壽命 認為High-NA方案面臨成本問題

　　3 月 8 日消息，三星研究員 Young Seog Kang 在近日舉行的 SPIE 先進光刻 + 圖案化會議的小組討論中對 EUV 技術(shù)的壽命持有悲觀看法，認為 High-NA(高數(shù)值孔徑)路線存在成本問題。

　　Kang 表示，作為光刻技術(shù)的用戶方，其總是最關(guān)心整體成本。

　　這位研究員指出，芯片制造商可使用目前運行的 0.33NA EUV 光刻機搭配多重圖案化實現(xiàn)精度的進一步提升，而無需更昂貴的替代方案(IT之家注：即 High-NA 光刻機)。

　　更重要的是，代工廠正轉(zhuǎn)向先進封裝和其他圖案化方法生產(chǎn)芯片。尤其對于擁有大量重復(fù)單元的存儲半導(dǎo)體，納米壓印等方案正在市場中逐漸占據(jù)一席之地。

　　Kang 的表態(tài)是從去年底開始的 High-NA 成本大討論的一部分：

　　此前分析機構(gòu) SemiAnalysis 稱對于 1.4nm 節(jié)點而言，High-NA 光刻成本仍高于現(xiàn)有版本 EUV + 多重圖案化的組合;

　　ASML 首席財務(wù)官回擊稱 High-NA 光刻是未來最經(jīng)濟選擇，相關(guān)訂單逐步增加。

　　而在買方，三星的主要競爭對手英特爾積極采用 High-NA EUV，并已宣布將在 Intel 14A 制程節(jié)點引入;行業(yè)龍頭臺積電對此并未發(fā)表過多信息，有傳聞稱要等到 2030 年后才會使用。

　　在 Kang 所在的小組內(nèi)部，各方專家也有各自的意見：

　　光刻膠供應(yīng)商 JSR 北美總裁馬克・斯萊扎克(Mark Slezak)表示 EUV 技術(shù)的整體壽命將長達 20 年;

　　英特爾掩模業(yè)務(wù)總經(jīng)理弗蘭克・阿布德(Frank Abboud)認為，相移掩模這一在 DUV 光刻中起到重大作用的技術(shù)有望引入 EUV;

　　ASML 系統(tǒng)工程總監(jiān)揚・范・舒特(Jan van Schoot)指出，其正在研發(fā)新的光源，并采取其他技術(shù)改善同數(shù)值孔徑一樣重要的 k1 復(fù)合參數(shù);

　　Imec 技術(shù)人員艾米麗・加拉格爾(Emily Gallagher)則表示，EUV 的未來命運也可能由技術(shù)之外的因素決定：如生產(chǎn)過程中含氟溫室氣體的排放問題，為環(huán)境考慮使用替代品將引入更大變量。