華為、康佳、長虹公布Micro LED專利！

　　行家說快訊：

　　近日，關于Micro LED的討論再次刷屏，除了應用端的消息外，技術方面也有新消息傳來。3月12日，華為、康佳、長虹等企業(yè)也紛紛公告了Micro LED相關專利。

　　■ 華為：一種Micro LED顯示面板、顯示設備及制造方法。可增大發(fā)光區(qū)面積，提升光效。不需要巨量轉移，提高合格率。

　　■ 長虹：MicroLED表面結構及制備方法。提高量子點光提取效率及準直效果。

　　■ 康佳：MicroLED保護膜、MicroLED結構、顯示裝置及電子設備，改善拼接縫亮線問題。

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　　華為：一種Micro LED顯示面板、顯示設備及制造方法

　　3月12日，華為技術有限公司 “一種MicroLED顯示面板、顯示設備及制造方法” 的發(fā)明專利進入申請公布階段。

　　該申請公開了一種MicroLED顯示面板、顯示設備及制造方法，包括多個顯示結構，每個顯示結構包括：第一電極、第二電極、第一半導體層、第二半導體層和發(fā)光層;

　　相鄰的顯示結構的第一電極、第一半導體層和發(fā)光層相互獨立;第一半導體層和第二半導體層分別位于發(fā)光層的兩側表面;第一電極位于第一半導體層背離發(fā)光層的一側，第二電極位于第二半導體層背離發(fā)光層的一側;

　　每個顯示結構的發(fā)光層對應一個像素區(qū);第二電極圍繞每個像素區(qū)走線，第二電極為各個像素區(qū)的公共電極，且為相鄰像素區(qū)之間的金屬擋墻。

　　該方案可以增大發(fā)光區(qū)面積，提升光效。不需要巨量轉移，提高合格率。第二電極作為金屬擋墻，防止光串擾，利于電流分布均勻，亮度均勻。

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　　長虹電子：MicroLED表面結構及制備方法

　　3月12日，四川啟睿克科技有限公司，四川長虹電子控股集團有限公司“MicroLED表面結構及制備方法”的發(fā)明專利進入申請公布階段。據(jù)悉，四川啟�？丝萍加邢薰�司由四川長虹電子控股集團100%控股。

　　本發(fā)明涉及顯示領域，為了提高量子點光提取效率及準直效果，提供了Micro LED表面結構及制備方法，通過在Micro LED芯片表面構造金屬納米環(huán)結構，當納米環(huán)結構參數(shù)與中心量子點光波長相匹配時，會產(chǎn)生強烈的準直效應，可實現(xiàn)發(fā)出光線的定向準直功能;

　　底部金屬反射器收集量子點光源向下發(fā)出的光線，并反射至芯片發(fā)光方向，增加了發(fā)光方向的光子數(shù)，從而大大增加了量子點Micro LED芯片在垂直方向上的光提取效率。

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　　康佳電子：MicroLED保護膜、MicroLED結構、顯示裝置及電子設備

　　3月12日，深圳康佳電子科技有限公司 “MicroLED保護膜、MicroLED結構、顯示裝置及電子設備” 的發(fā)明專利進入授權階段。

　　本發(fā)明公開了一種Micro LED保護膜、Micro LED結構、顯示裝置及電子設備，Micro LED保護膜包括吸光材料以及單層半透膜或復合層半透膜，單層半透膜的邊緣包圍有吸光材料，復合層半透膜包括由內而外依次疊置的多層折射率相同或不同的半透膜，復合層半透膜的邊緣包圍有吸光材料。

　　本發(fā)明利用半透膜邊緣的吸光材料吸收大角度的光線，有效改善了拼接縫亮線問題。