華為、康佳、長虹公布Micro LED專利！

　　行家說快訊：

　　近日，關(guān)于Micro LED的討論再次刷屏，除了應(yīng)用端的消息外，技術(shù)方面也有新消息傳來。3月12日，華為、康佳、長虹等企業(yè)也紛紛公告了Micro LED相關(guān)專利。

　　■ 華為：一種Micro LED顯示面板、顯示設(shè)備及制造方法�？稍龃蟀l(fā)光區(qū)面積，提升光效。不需要巨量轉(zhuǎn)移，提高合格率。

　　■ 長虹：MicroLED表面結(jié)構(gòu)及制備方法。提高量子點光提取效率及準(zhǔn)直效果。

　　■ 康佳：MicroLED保護(hù)膜、MicroLED結(jié)構(gòu)、顯示裝置及電子設(shè)備，改善拼接縫亮線問題。

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　　華為：一種Micro LED顯示面板、顯示設(shè)備及制造方法

　　3月12日，華為技術(shù)有限公司 “一種MicroLED顯示面板、顯示設(shè)備及制造方法” 的發(fā)明專利進(jìn)入申請公布階段。

　　該申請公開了一種MicroLED顯示面板、顯示設(shè)備及制造方法，包括多個顯示結(jié)構(gòu)，每個顯示結(jié)構(gòu)包括：第一電極、第二電極、第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層和發(fā)光層;

　　相鄰的顯示結(jié)構(gòu)的第一電極、第一半導(dǎo)體層和發(fā)光層相互獨立;第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層分別位于發(fā)光層的兩側(cè)表面;第一電極位于第一半導(dǎo)體層背離發(fā)光層的一側(cè)，第二電極位于第二半導(dǎo)體層背離發(fā)光層的一側(cè);

　　每個顯示結(jié)構(gòu)的發(fā)光層對應(yīng)一個像素區(qū);第二電極圍繞每個像素區(qū)走線，第二電極為各個像素區(qū)的公共電極，且為相鄰像素區(qū)之間的金屬擋墻。

　　該方案可以增大發(fā)光區(qū)面積，提升光效。不需要巨量轉(zhuǎn)移，提高合格率。第二電極作為金屬擋墻，防止光串?dāng)_，利于電流分布均勻，亮度均勻。

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　　長虹電子：MicroLED表面結(jié)構(gòu)及制備方法

　　3月12日，四川啟�？丝萍加邢薰�司，四川長虹電子控股集團(tuán)有限公司“MicroLED表面結(jié)構(gòu)及制備方法”的發(fā)明專利進(jìn)入申請公布階段。據(jù)悉，四川啟�？丝萍加邢薰�司由四川長虹電子控股集團(tuán)100%控股。

　　本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，為了提高量子點光提取效率及準(zhǔn)直效果，提供了Micro LED表面結(jié)構(gòu)及制備方法，通過在Micro LED芯片表面構(gòu)造金屬納米環(huán)結(jié)構(gòu)，當(dāng)納米環(huán)結(jié)構(gòu)參數(shù)與中心量子點光波長相匹配時，會產(chǎn)生強(qiáng)烈的準(zhǔn)直效應(yīng)，可實現(xiàn)發(fā)出光線的定向準(zhǔn)直功能;

　　底部金屬反射器收集量子點光源向下發(fā)出的光線，并反射至芯片發(fā)光方向，增加了發(fā)光方向的光子數(shù)，從而大大增加了量子點Micro LED芯片在垂直方向上的光提取效率。

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　　康佳電子：MicroLED保護(hù)膜、MicroLED結(jié)構(gòu)、顯示裝置及電子設(shè)備

　　3月12日，深圳康佳電子科技有限公司 “MicroLED保護(hù)膜、MicroLED結(jié)構(gòu)、顯示裝置及電子設(shè)備” 的發(fā)明專利進(jìn)入授權(quán)階段。

　　本發(fā)明公開了一種Micro LED保護(hù)膜、Micro LED結(jié)構(gòu)、顯示裝置及電子設(shè)備，Micro LED保護(hù)膜包括吸光材料以及單層半透膜或復(fù)合層半透膜，單層半透膜的邊緣包圍有吸光材料，復(fù)合層半透膜包括由內(nèi)而外依次疊置的多層折射率相同或不同的半透膜，復(fù)合層半透膜的邊緣包圍有吸光材料。

　　本發(fā)明利用半透膜邊緣的吸光材料吸收大角度的光線，有效改善了拼接縫亮線問題。